STL8N80K5

STL8N80K5是ST意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过精细的单元设计和创新的沟槽工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻与电荷特性平衡，显著提升了功率转换效率与开关性能。其核心优势在于将高压承受能力与快速开关特性相结合，为高要求的功率应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备800V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4.5A，结合仅950毫欧（@ 3A, 10V）的最大导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通状态下的功率损耗。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，增强了系统的鲁棒性。此外，16.5nC（@ 10V）的低栅极电荷（Qg）和450pF（@ 100V）的输入电容（Ciss）共同确保了快速的开关瞬态，有助于减少开关损耗并提升系统工作频率。

在物理封装与接口方面，STL8N80K5采用了表面贴装型的PowerFlat（5x6）封装。这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其热阻低，有助于将芯片结温产生的热量高效传导至PCB，支持高达42W（Tc）的功率耗散。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和长寿命。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、低损耗和快速开关的特性组合，该器件非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、照明应用的电子镇流器、工业电机驱动与逆变器，以及各类辅助电源和适配器。其设计旨在提升终端设备的能效等级、功率密度和整体可靠性，是工程师实现高效、紧凑型高压功率电路设计的优选元件。

• 型号:STL8N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取STL8N80K5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL8N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH5产品系列。该器件核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和4.5A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通与开关性能平衡：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为950毫欧，同时栅极电荷（Qg）低至16.5nC。这种特性组合能显著降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。器件采用热性能出色的PowerFlat表面贴装封装，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于对可靠性和功率密度有较高要求的场景。