STF16NK60Z

STF16NK60Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其标志性的SuperMESH产品系列。该器件采用先进的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心在于优化的单元密度和栅极结构，能够在600V的高压环境下稳定工作，同时通过降低单位面积的导通电阻（Rds(on)）来显著减少导通损耗，提升整体能效。这种架构特别适用于对开关性能和热管理有较高要求的功率转换场景。

该器件在电气特性上表现出色，其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在工业级AC-DC电源、电机驱动等高压应用中的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为14A，具备较强的电流处理能力。一个关键的性能指标是其导通电阻，在10V栅极驱动电压、7A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为420毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在较低水平。配合最大86nC的栅极总电荷（Qg），有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并降低对栅极驱动电路的要求。

在封装与可靠性方面，STF16NK60Z采用通孔安装的TO-220FP封装，这种封装形式提供了良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散为40W（Tc）。器件支持高达±30V的栅源电压，为驱动电路设计提供了充足的裕量。其工作结温（Tj）最高可达150°C，确保了在高温环境下的稳定运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过正规的ST代理渠道，工程师在特定存量应用或旧设备维护中仍可能获取相关资源。其优异的参数组合，包括较低的输入电容（Ciss）和适中的栅极阈值电压（Vgs(th)），使其成为构建高效、紧凑型开关电源、不间断电源（UPS）、照明镇流器以及电机控制逆变器等应用的理想选择。

• 型号:STF16NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF16NK60Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心优势在于其600V的高耐压（Vdss）与低至420毫欧（@10V，7A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，能够在高压应用中有效降低导通损耗，提升系统效率。

其电气参数设计兼顾性能与驱动便利性，连续漏极电流（Id）达14A，栅极电荷（Qg）最大值为86nC，有助于实现快速开关并简化驱动电路设计。结合150°C的最高工作结温和40W的功率耗散能力，该器件为要求高可靠性的功率转换应用，如开关电源和电机驱动，提供了一个经过验证的高性能解决方案。