STFW8N120K5

STFW8N120K5是ST意法半导体基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-3PF封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，在实现极低导通电阻的同时，显著降低了开关损耗和栅极电荷，为工程师在高频开关电源设计中提供了性能与可靠性的理想平衡。

该器件具备1200V的高漏源击穿电压，确保了在严苛的工业与能源环境中稳定工作的能力。其导通电阻在10V驱动电压、2.5A电流条件下典型值仅为2欧姆，结合低至13.7nC的栅极总电荷，共同带来了卓越的开关效率与低导通损耗。高达6A的连续漏极电流（Tc=25°C）和48W的功率耗散能力，使其能够处理可观的功率等级。此外，其栅源电压范围宽达±30V，提供了稳健的驱动容限，而-55°C至150°C的宽结温工作范围则保证了其在极端温度环境下的可靠性。

在电气参数方面，低输入电容与优化的动态特性是其另一大亮点。在100V漏源电压下，输入电容最大值仅为505pF，这有助于简化栅极驱动电路设计并进一步提升开关速度。其阈值电压最大值为5V，具备良好的噪声抑制能力。这些参数的综合表现，使得该器件在要求高效率与高可靠性的场合中表现出色。用户可以通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其高耐压、高效率与高鲁棒性的特点，STFW8N120K5非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和高压DC-DC转换器、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等新能源应用。在这些场景中，它能够有效提升系统整体能效，减少散热需求，并增强系统在高压瞬变情况下的生存能力。

• 型号:STFW8N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO3PF
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:505 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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STFW8N120K5是ST意法半导体推出的一款采用TO-3PF封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件核心优势在于其1200V的高漏源电压与6A的连续漏极电流能力，专为应对高压、大功率应用环境而设计。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优异结合。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值仅为2欧姆，同时栅极总电荷低至13.7nC，这直接转化为更低的导通损耗和更高的开关频率潜力，从而提升系统整体效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）进一步确保了其在苛刻条件下的长期运行可靠性。