SCTH100N65G2-7AG

SCTH100N65G2-7AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率场效应晶体管（SiCFET）。该器件采用H2PAK-7表面贴装封装，专为满足汽车级AEC-Q101标准的严苛要求而设计，确保了在高温、高振动等恶劣环境下的高可靠性与长寿命。其核心架构基于宽禁带半导体材料碳化硅，相比传统硅基MOSFET，在材料特性上实现了根本性突破，为高效率、高功率密度应用奠定了物理基础。

得益于碳化硅材料的优异特性，该器件在650V的额定漏源电压下，能够提供高达95A的连续漏极电流（Tc=25°C），同时保持极低的导通损耗。其导通电阻（Rds(On)）在典型工作条件下（50A， 18V）最大值仅为26毫欧，显著降低了通态功耗。更低的栅极电荷（Qg）最大值162nC @ 18V，以及优化的输入电容，共同带来了卓越的开关性能，能够实现更高的开关频率，从而有效减小系统中无源元件（如电感、电容）的尺寸和成本。其栅极驱动电压范围宽（-10V至+22V），且阈值电压稳定，便于驱动电路设计。高达360W（Tc）的功率耗散能力和宽广的结温工作范围（-55°C至175°C），使其能够应对高功率应用中的热挑战。ST中国代理可提供完整的技术支持与供应链服务。

在电气参数方面，SCTH100N65G2-7AG展现了全面均衡的性能。除了优异的静态与动态参数，其坚固的体二极管特性也简化了桥式拓扑中的续流设计。H2PAK-7封装提供了优异的散热性能和较低的封装寄生电感，这对于发挥碳化硅器件的高速开关优势、抑制电压过冲和振荡至关重要。这种封装形式也便于实现自动化表面贴装生产，提升制造效率。

该器件主要面向对效率、功率密度和可靠性有极高要求的应用场景。在新能源汽车领域，它是车载充电机（OBC）、直流-直流变换器（DC-DC）以及主驱动逆变器的理想选择，能够有效提升续航里程并缩小系统体积。在工业电源与服务器电源中，可用于功率因数校正（PFC）电路和LLC谐振变换器，实现更高效率的能源转换。此外，在光伏逆变器、不间断电源（UPS）等可再生能源和储能系统中，其高耐压、高效率的特性也能显著提升系统整体性能。

• 型号:SCTH100N65G2-7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-7
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):95A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 50A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 5mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:162 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3315 pF @ 520 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-7
• 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
• 想获取SCTH100N65G2-7AG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SCTH100N65G2-7AG是ST意法半导体符合AEC-Q101标准的汽车级碳化硅功率MOSFET。该器件采用H2PAK-7封装，额定电压650V，在25°C壳温下可连续通过95A电流，其最大导通电阻低至26毫欧（@50A， 18V），有效降低了导通损耗。

得益于碳化硅技术，器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷仅为162nC，支持高频率工作，有助于提升功率密度。其结温工作范围宽达-55°C至175°C，最大功耗360W，结合表面贴装形式，为汽车电驱、车载充电及高可靠性工业电源应用提供了高效、紧凑且鲁棒的解决方案。