STB170NF04

作为ST意法半导体STripFET II系列中的一员，STB170NF04是一款采用先进的沟槽栅工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现极低的导通电阻与快速的开关性能之间的平衡，这对于提升系统效率、降低功率损耗至关重要。该器件采用D2PAK封装，这是一种经典的表面贴装功率封装，具有良好的散热能力和机械强度，适合自动化生产并能在紧凑的PCB布局中处理高功率。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的导通电阻（Rds(on)）性能，在10V栅极驱动电压和40A漏极电流条件下，其最大值仅为5毫欧。这一低阻值直接转化为更低的传导损耗，使得器件在承载大电流时温升更小，系统整体能效更高。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在170nC @ 10V，这有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使其能够工作在较高的开关频率下。其高达80A的连续漏极电流（Tc）和300W（Tc）的最大功率耗散能力，进一步证明了其处理高功率的能力。

在电气参数方面，STB170NF04的漏源电压（Vdss）额定为40V，适用于常见的12V、24V及48V总线系统。其栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力。输入电容（Ciss）为9000pF @ 25V，是评估其开关速度的重要参数之一。该器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，使其能够适应严苛的工业环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理进行采购。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和稳健的封装，STB170NF04非常适合应用于对效率和功率密度有严格要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器中的同步整流和功率开关、工业电机驱动和机器人控制系统中的电机控制、以及不间断电源（UPS）和电动工具中的电池管理与功率分配模块。在这些应用中，它能够有效提升系统可靠性，并帮助实现更紧凑、更高效的电源设计方案。

• 型号:STB170NF04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:170 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB170NF04是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，设计用于在40V的漏源电压下处理高达80A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为5毫欧（@10V，40A），这能显著降低传导损耗，提升系统整体效率。

此外，该MOSFET具备优化的开关特性，其栅极电荷（Qg）最大值为170nC，有助于实现快速的开关速度并降低开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和300W的最大功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的可靠运行。这些特性使其成为高功率密度DC-DC转换、电机驱动和电源管理应用的理想选择。