STD5N95K5

STD5N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了极低的单位面积导通电阻（Rds(on)）与高耐压能力的平衡。其核心设计目标是在高达950V的漏源电压（Vdss）下，提供高效、可靠的开关性能，同时将开关损耗和导通损耗控制在较低水平，这对于提升系统整体能效至关重要。

该MOSFET的显著特性体现在其优异的动态与静态参数上。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1.5A电流条件下典型值仅为2.5欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，减少发热。同时，栅极总电荷（Qg）最大值控制在12.5nC，结合220pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关转换能力，能够有效降低开关过程中的交叠损耗，尤其适用于高频开关应用。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声抑制能力和驱动简易性，而高达30V的栅源电压（Vgs）最大值则为驱动电路设计提供了充足的裕量。

在封装与可靠性方面，STD5N95K5采用标准的表面贴装DPAK（TO-252）封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，在壳温（Tc）条件下最大可耗散70W功率，展现了强大的热管理和环境适应能力。连续漏极电流（Id）在壳温条件下额定为3.5A，为设计者提供了清晰的电流承载能力参考。这些参数共同构成了一个坚固、高性能的功率开关解决方案。

凭借950V的高耐压和优化的开关特性，这款器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧，如反激式、正激式拓扑中的主开关管。它也常见于功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及各类适配器和充电器的高压开关部分。对于需要高性价比、高可靠性功率开关方案的设计工程师，通过正规的ST芯片代理获取此型号，可以确保产品供应链的稳定与元器件品质。

• 型号:STD5N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 3.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD5N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心额定参数为950V漏源电压（Vdss）与3.5A连续漏极电流（Id），专为要求高耐压与高效开关的应用而设计。

其技术优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色结合。在10V驱动电压下，其导通电阻典型值仅为2.5欧姆，有助于最小化传导损耗。同时，极低的栅极电荷（最大12.5nC）确保了快速的开关速度，从而有效降低开关损耗。这些特性使其在高达150°C的结温下仍能保持稳定工作，为开关电源等应用提供了高可靠性的核心功率开关解决方案。