STW7NK90Z

STW7NK90Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在单晶硅上实现了高密度的元胞结构，从而在确保高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。其核心设计理念是在900V的高压等级下，达成导通损耗与开关损耗之间的优异平衡，这对于提升整机效率至关重要。

该芯片具备多项突出的电气特性。其900V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的安全工作裕量，使其能够从容应对工业电源中常见的电压尖峰和浪涌。在导通特性方面，在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至2欧姆（@2.9A），这意味着在传导相同电流时产生的热量更少，有助于提高系统能效和可靠性。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在60.5nC，结合1350pF的输入电容（Ciss），表明其具有较快的开关速度和较低的驱动损耗，有利于在高频开关电源应用中提升工作频率，减小磁性元件体积。

在接口与参数层面，该器件采用标准的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其金属背板便于安装散热器。其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达5.8A，最大功耗为140W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。栅极驱动电压范围宽（±30V），阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力和与多种控制IC的兼容性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高压、低导通电阻和快速开关的特性组合，STW7NK90Z非常适用于对效率和功率密度有较高要求的离线式开关电源（SMPS）拓扑，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）变换器，尤其适合作为PFC（功率因数校正）电路的主开关管。此外，它在电机驱动、工业照明（如HID灯电子镇流器）、UPS（不间断电源）以及电焊机等硬开关或谐振式电源设计中，也能发挥其高压优势，是实现紧凑、高效、可靠功率转换解决方案的关键元器件。

• 型号:STW7NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW7NK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其900V的高压阻断能力与低至2欧姆（@10V Vgs, 2.9A Id）的导通电阻的出色结合，这得益于先进的芯片技术，有效优化了高压应用中的传导损耗。

其电气参数设计兼顾了效率与易用性：最大栅极电荷（Qg）仅为60.5nC，有助于降低开关损耗并支持更高频率的操作；宽泛的栅极电压范围（±30V）和明确的阈值电压提供了稳定的驱动特性。封装采用标准的TO-247-3，支持高达140W（Tc）的功率耗散和5.8A（Tc）的连续电流，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的鲁棒性与长寿命。