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CBTVS2A16-1F3的图片

CBTVS2A16-1F3

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 19VC 4FLIPCHIP
原厂封装:封装:4-覆晶(0.77x0.77)
优势价格,CBTVS2A16-1F3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CBTVS2A16-1F3的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

CBTVS2A16-1F3是ST意法半导体推出的一款采用先进Flip-Chip(倒装芯片)工艺的单向瞬态电压抑制(TVS)二极管。该器件基于硅基雪崩击穿原理构建其核心保护架构,其设计旨在为敏感的电子线路提供快速、可靠的过压保护。当电路中出现因静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)或雷击感应浪涌等事件导致的瞬时高压尖峰时,该TVS二极管能迅速响应,从高阻抗状态转为低阻抗状态,将异常电压箝位至安全水平,从而有效保护下游的集成电路或端口免受损坏。

该器件的一个显著特点是其紧凑的4-UFBGA(超细间距球栅阵列)封装,这得益于Flip-Chip技术,实现了极低的封装寄生电感和卓越的散热性能,这对于处理高速、高能量的瞬态脉冲至关重要。其16V的最小击穿电压19V的最大箝位电压,确保了在典型工作电压为12V或15V的系统中,既能保持电路正常工作,又能在瞬态事件发生时提供有效的电压抑制。其峰值脉冲功率处理能力达到70W,能够吸收可观的瞬态能量。此外,在1MHz频率下125pF的典型电容值,使其非常适合用于保护高速数据线(如USB、HDMI、以太网等),避免因保护器件引入过大电容而导致信号完整性下降。

在接口与参数方面,该器件为单向保护设计,适用于明确正负极性的直流线路。其表面贴装型封装符合现代自动化生产要求,工作结温高达125°C,保证了在严苛环境下的可靠性。用户可以通过正规的ST代理渠道获取该产品,以确保获得原厂正品和技术支持。其通用型的产品定位和稳健的参数表现,使其成为工程师在电路保护设计中的一个高性价比选择。

基于上述特性,CBTVS2A16-1F3广泛应用于需要稳健端口保护的消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。典型应用场景包括保护微控制器的I/O端口、电源输入线路、以及各类高速数据总线接口,防止因外部ESD或浪涌事件导致的系统故障或硬件损坏。其小型化封装尤其适合空间受限的便携式设备和高度集成的模块设计。

  • 型号:CBTVS2A16-1F3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:4-覆晶(0.77x0.77)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 19VC 4FLIPCHIP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:-
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):-
  • 电压 - 击穿(最小值):16V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):19V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
  • 功率 - 峰值脉冲:70W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:125pF @ 1MHz
  • 工作温度:125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-UFBGA,FCBGA
  • 供应商器件封装:4-覆晶(0.77x0.77)
  • 想获取CBTVS2A16-1F3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

CBTVS2A16-1F3是ST意法半导体生产的一款采用4-UFBGA Flip-Chip封装的单向TVS二极管。该器件专为通用线路的瞬态电压抑制设计,其核心参数包括16V的最小击穿电压和19V的最大箝位电压,能够为工作电压在12V至15V区间的电路提供有效的过压保护。

该器件具备70W的峰值脉冲功率处理能力,可吸收显著的瞬态能量。同时,其在1MHz下125pF的低电容特性,使其在保护高速数据接口时能最大限度地维持信号完整性。其表面贴装型封装支持125°C的最高工作结温,确保了在宽温范围和自动化生产中的高可靠性。

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