STW14NK50Z

STW14NK50Z是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要。TO-247-3封装提供了优异的机械强度和热性能，确保器件在高功率耗散下的可靠工作。

该MOSFET的突出特性在于其500V的高漏源击穿电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id）能力，这使其能够从容应对工业级功率转换中的高压大电流场景。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、6A电流条件下典型值仅为380毫欧，意味着更低的通态压降和导通损耗。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在92nC，配合±30V的宽栅源电压范围，有助于简化驱动电路设计并实现快速开关，减少开关过程中的能量损失。这些参数共同构成了其在高效能功率开关应用中的坚实基础。

在电气参数方面，STW14NK50Z展现了全面的稳健性。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）为2000pF，与较低的Qg值相结合，优化了开关动态性能。器件标称最大功率耗散为150W（基于壳温Tc），并支持-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过正规的ST授权代理进行采购，以保障产品品质与供货。

凭借其高性能与高可靠性，STW14NK50Z非常适用于要求严苛的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动与逆变器、不间断电源（UPS）以及工业照明镇流器等。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并有助于实现更紧凑、更可靠的电源设计方案。

• 型号:STW14NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW14NK50Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至380毫欧（@6A），有效降低了传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为92nC，有利于实现高速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动及PFC电路等应用效率的理想选择。