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STSR2PMCD的图片

STSR2PMCD

ST图标
电源管理IC - 栅极驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SO
原厂封装:产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,STSR2PMCD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STSR2PMCD的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STSR2PMCD是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款双通道低端栅极驱动器,采用紧凑的8-SOIC封装,专为高效、可靠地驱动N沟道功率MOSFET而设计。其核心架构基于稳健的CMOS/TTL兼容输入级,能够直接与微控制器或数字信号处理器的PWM输出接口,内部集成了电平转换、欠压锁定(UVLO)保护以及具有独立灌电流和拉电流能力的图腾柱输出级,确保了在复杂电源环境下的稳定工作。

该器件的一个显著功能特点是其强大的驱动能力,峰值拉电流和灌电流分别达到3.5A和2A,能够快速对功率MOSFET的栅极电容进行充放电,从而有效降低开关损耗。其典型的上升时间和下降时间分别为40ns和30ns,这有助于实现更高的开关频率,优化电源系统的效率和功率密度。所有输入均为非反相设计,简化了系统逻辑控制。其宽泛的4.5V至5.5V单电源供电范围-40°C至125°C的宽工作结温,使其能够适应严苛的工业环境要求。

在接口与关键参数方面,STSR2PMCD提供了两个独立的同步驱动通道,每个通道均可直接驱动一个低端MOSFET。其输入引脚兼容CMOS和TTL逻辑电平,阈值设计确保了优异的抗噪声性能。器件内置的欠压锁定功能在电源电压低于安全阈值时强制输出为低,防止功率管在驱动不足的情况下导通,从而保护了整个功率开关电路。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取原装正品和技术支持。

这款栅极驱动器主要面向需要高效同步整流或低端开关控制的应用场景。它非常适合用于DC-DC转换器的同步整流侧电机驱动中的低端预驱开关电源(SMPS)以及各类低端开关和负载开关电路。其快速的开关特性和强大的驱动能力,使其成为提升系统效率、减小方案尺寸和增强可靠性的关键组件,尤其在对功率密度和热管理有高要求的现代电子设备中价值显著。

  • 制造商产品型号:STSR2PMCD
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SO
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 驱动配置:低端
  • 通道类型:同步
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:4.5V ~ 5.5V
  • 逻辑电压-VIL,VIH:-
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):2A,3.5A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压-最大值(自举):-
  • 上升/下降时间(典型值):40ns,30ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 想获取STSR2PMCD的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STSR2PMCD是ST意法半导体生产的一款有源、双通道、低端栅极驱动器IC,属于电源管理IC中的栅极驱动器系列。该器件采用8-SOIC表面贴装封装,设计用于高效驱动N沟道MOSFET,其单电源工作电压范围为4.5V至5.5V。

该驱动器的核心优势在于其强大的输出驱动能力,峰值拉电流和灌电流分别可达3.5A和2A,配合典型的40ns上升时间和30ns下降时间,能够实现功率MOSFET的快速开关,有效降低开关损耗。其非反相输入逻辑与CMOS/TTL电平兼容,便于与控制器直接连接。器件支持-40°C至125°C的宽工作结温,确保了在恶劣工业环境下的高可靠性,适用于同步整流、电机驱动和开关电源等关键应用。

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