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E-L6221AD

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20-SO
原厂封装:封装:20-SO
优势价格,E-L6221AD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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E-L6221AD的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

E-L6221AD是ST意法半导体推出的一款集成式四路NPN达林顿晶体管阵列芯片,采用20引脚SOIC封装。该器件内部集成了四个独立的达林顿对,每个通道均由两个双极结型晶体管以达林顿结构级联而成。这种架构显著提高了单级的电流增益,使得芯片能够使用相对较小的基极驱动电流来控制高达1.8A的集电极负载电流,同时保持了紧凑的表面贴装尺寸,非常适合在空间受限的PCB布局中实现多路中功率开关或驱动功能。

在功能特性上,该芯片的每个达林顿通道都具备高达50V的集电极-发射极击穿电压,为驱动感性负载(如继电器、螺线管、步进电机绕组或小型直流电机)提供了充足的电压裕量,有效抑制关断时产生的反电动势。其饱和压降在1.8A的满负载条件下典型值较低,有助于减少导通状态下的功率损耗和发热。集成的续流二极管是另一个关键设计,它为驱动感性负载提供了必要的续流路径,简化了外部保护电路的设计,提升了系统的可靠性与集成度。用户可以通过ST授权代理获取完整的技术支持和供货信息。

芯片的接口设计简洁,采用标准的表面贴装20-SOIC封装,便于自动化生产。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,确保了在严苛工业环境下的稳定运行。尽管该器件已处于停产状态,但其每通道1.8A的驱动能力、50V的耐压以及内置保护二极管等参数,使其在需要多路、可靠、中电流开关解决方案的遗留系统或特定设计中仍具参考价值。其典型应用包括作为微控制器或逻辑电路的输出缓冲器,直接驱动多组继电器、LED阵列、白炽灯或小型直流电机。

在应用场景方面,E-L6221AD曾广泛应用于工业自动化控制板、办公自动化设备(如打印机和扫描仪的电机与电磁铁驱动)、汽车电子模块(如车身控制模块中的负载驱动)以及各类需要多路隔离驱动的测试仪器中。其集成化的设计有效替代了多个分立晶体管和外围二极管,简化了电路板布局,降低了物料成本和组装复杂度,是当时构建紧凑型多通道驱动板的经典选择之一。

  • 型号:E-L6221AD
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:20-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20-SO
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.8A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 1.8A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
  • 功率 - 最大值:1W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:20-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:20-SO
  • 想获取E-L6221AD的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

E-L6221AD是ST意法半导体生产的一款四通道NPN达林顿晶体管阵列,采用20-SOIC表面贴装封装。该器件集成了四个独立的高增益达林顿对,每个通道可提供高达1.8A的集电极输出电流和50V的集电极-发射极击穿电压,适用于驱动继电器、螺线管、步进电机绕组及LED阵列等中功率负载。

其核心优势在于高度集成与内置保护。每个达林顿通道均集成了续流二极管,为驱动感性负载提供了必要的续流通路,从而简化了外部电路设计,增强了系统的可靠性。器件工作结温范围为-40°C至150°C,满足工业级应用的环境要求。尽管目前已停产,但其参数组合在遗留的多通道开关驱动设计中仍具代表性。

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