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E-L6562D

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > PFC(功率因数校正)
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PFC CTRLR TRANSITION 1MHZ 8SO
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,E-L6562D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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E-L6562D的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

E-L6562D是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能临界导通模式(Transition Mode, TM)功率因数校正(PFC)控制器。该器件采用先进的模拟控制架构,集成了高精度乘法器、误差放大器、电流检测比较器以及图腾柱输出级,专为设计紧凑、高效的前端AC-DC转换器而优化。其核心控制逻辑基于电压外环和电流内环的双环反馈系统,通过乘法器将经整流的输入电压波形与电压误差放大器的输出信号相乘,生成一个与输入电压同相位的正弦电流基准,从而强制输入电流波形跟随输入电压波形,实现接近1的功率因数。

该控制器的一个显著特点是其临界导通模式(TM)工作方式,也称为边界导通模式或过渡模式。在此模式下,功率开关管(通常是MOSFET)在每个开关周期的电流降至零时导通,实现了零电流开关(ZCS),这不仅能有效降低开关损耗,提升整体效率,还显著简化了磁性元件的设计,有助于减小升压电感的体积和成本。同时,其开关频率最高可达1MHz,这使得设计人员能够选用更小尺寸的被动元件,进一步优化电源系统的功率密度。器件内置的启动电流低至40A,有助于降低待机功耗,满足绿色节能标准。

在接口与参数方面,E-L6562D采用标准的8引脚SOIC封装,便于表面贴装生产。其供电电压范围宽达10.3V至22V,提供了良好的设计灵活性。内部集成了完善的保护功能,包括过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)以及可外部编程的过流保护,确保了系统在各种异常情况下的可靠性。其工作温度范围为-25°C至125°C,能够适应严苛的工业环境。尽管该型号目前已处于停产状态,但在存量项目维护或特定设计中,仍可通过专业的ST代理商获取相关库存或替代方案咨询。

这款控制器主要面向需要高功率因数、高效率的中小功率开关电源应用。典型应用场景包括液晶电视、台式电脑、一体机、游戏机以及服务器的电源适配器和内置电源单元(PSU)。在这些应用中,E-L6562D能够帮助电源设计满足如IEC 61000-3-2等严格的谐波电流限制标准,同时通过其高集成度和优化的控制算法,帮助工程师实现成本与性能的平衡,打造出结构紧凑、性能可靠的AC-DC前端解决方案。

  • 型号:E-L6562D
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > PFC(功率因数校正)
  • 描述:IC PFC CTRLR TRANSITION 1MHZ 8SO
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 模式:间歇(跃迁)
  • 频率 - 开关:1MHz
  • 电流 - 启动:40 A
  • 电压 - 供电:10.3V ~ 22V
  • 工作温度:-25°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取E-L6562D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

E-L6562D是ST意法半导体生产的一款临界导通模式(Transition Mode)功率因数校正(PFC)控制器IC,采用8-SOIC表面贴装封装。该器件专为优化AC-DC电源前端的功率因数和效率而设计,其核心卖点在于最高1MHz的开关频率,允许使用更小尺寸的磁性元件和滤波器,从而提升电源的功率密度。

该控制器工作于间歇(跃迁)模式,实现了零电流开关,有效降低了开关损耗。其宽泛的供电电压范围(10.3V~22V)和极低的启动电流(40A)增强了设计的灵活性并有助于降低待机功耗。尽管此型号已停产,但其在要求高功率因数的中小功率电源设计中,如适配器、液晶电视及电脑电源等领域,曾是一款经典的高性能解决方案。

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