L6387ED013TR

L6387ED013TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能半桥栅极驱动器芯片，专为驱动N沟道功率MOSFET或IGBT而设计。其核心架构集成了两个独立的驱动通道，分别用于控制高压侧和低压侧开关管，通过内部电平移位和自举电路，实现了对高压侧器件的可靠驱动，同时确保了逻辑控制信号与高压功率回路之间的有效电气隔离。这种设计简化了系统布局，并增强了在开关电源、电机控制等应用中的稳定性和抗干扰能力。

该器件具备多项突出的功能特点。其输入采用反相逻辑，兼容广泛的微控制器或PWM控制器输出信号。高达600V的自举电压能力使其能够直接应用于高压母线系统，而17V的最大供电电压则为驱动级提供了充足的电压裕度。在动态性能方面，典型值50ns的上升时间和30ns的下降时间确保了开关管能够快速导通与关断，有效降低了开关损耗。其输出级具备强大的驱动能力，峰值拉电流和灌电流分别达到650mA和400mA，足以驱动较大栅极电容的功率器件，优化开关波形。

在接口与关键参数上，L6387ED013TR展现了高度的工程适用性。其逻辑输入阈值（VIL=1.5V， VIH=3.6V）与常见的3.3V及5V逻辑电平完美兼容。器件采用紧凑的8引脚SOIC封装，支持表面贴装工艺，便于自动化生产并节省PCB空间。其宽泛的工作结温范围（-45°C 至 125°C）保证了其在严苛工业环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及其完整的技术支持。

基于其稳健的半桥驱动架构和优异的电气参数，L6387ED013TR非常适合应用于多种功率转换场景。它常被用于开关模式电源（SMPS）的拓扑结构中，如功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器。在电机驱动领域，它是构建变频器、伺服驱动器以及无刷直流（BLDC）电机控制器的理想选择。此外，在照明电子（如电子镇流器）和工业自动化设备的功率模块中，也能发挥其高效、可靠的驱动作用。

• 型号:L6387ED013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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L6387ED013TR是ST意法半导体生产的一款有源半桥栅极驱动器IC，属于电源管理IC产品线。该器件采用8-SOIC表面贴装封装，提供卷带或剪切带包装，便于规模化生产。

其核心功能是独立驱动两个通道，适用于控制IGBT和N沟道MOSFET构成半桥结构。器件支持高达600V的自举电压和17V的驱动供电，逻辑输入兼容标准电平。其具备强劲的驱动能力，峰值拉电流和灌电流分别达到650mA和400mA，配合50ns和30ns的典型开关速度，能有效提升功率系统的效率和频率响应。宽达-45°C至125°C的工作结温范围确保了其在工业级应用中的高可靠性。