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ESDA6V1-5M6

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 3VWM 6UQFN
原厂封装:封装:6-QFN(1.45x1.0)
优势价格,ESDA6V1-5M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESDA6V1-5M6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ESDA6V1-5M6是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的ESDA系列TRANSIL瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列。该器件采用先进的半导体工艺,集成了多个单向保护通道,其核心架构旨在为高速数据线路提供稳健的静电放电(ESD)和电气快速瞬变(EFT)保护。其设计基于齐纳二极管原理,能够在纳秒级时间内响应过压事件,将危险的高能量脉冲箝位至安全电压,从而保护下游敏感的集成电路。

该器件的一个显著特点是其紧凑的6-UFDFN封装和极低的线路电容。每个通道在1MHz频率下的典型电容值仅为70pF,这一特性对于保护高速数据接口(如USB、HDMI、以太网等)至关重要,因为它能最大限度地减少信号完整性的劣化,确保数据传输的可靠性。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C,确保了在严苛工业环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过ST中国代理获取正品器件和技术支持。

在电气参数方面,ESDA6V1-5M6标称反向断态电压为3V,最小击穿电压为6.1V,能够有效保护工作电压在3.3V或5V逻辑电平的电路。它集成了5个独立的单向保护通道,为多线接口提供集中保护方案。尽管其峰值脉冲电流参数未在标准列表中明确标注,但其100W的峰值脉冲功率处理能力,表明其能够吸收并消散可观的瞬态能量,满足IEC 61000-4-2(ESD)等国际电磁兼容(EMC)标准的要求。

得益于其通用型设计、低电容和高可靠性,ESDA6V1-5M6广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制及汽车电子等领域。它特别适合用于保护便携式设备的I/O端口(如按键、SIM卡接口)、高速数据总线以及微控制器的GPIO引脚,防止因人体静电或环境电磁干扰导致的电路损坏,是提升产品鲁棒性和市场合规性的关键元件。

  • 型号:ESDA6V1-5M6
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:6-QFN(1.45x1.0)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 3VWM 6UQFN
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:5
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):3V
  • 电压 - 击穿(最小值):6.1V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
  • 功率 - 峰值脉冲:100W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:70pF @ 1MHz
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-UFDFN
  • 供应商器件封装:6-QFN(1.45x1.0)
  • 想获取ESDA6V1-5M6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ESDA6V1-5M6是ST意法半导体生产的一款采用6-UFDFN封装的表面贴装TVS二极管阵列。该器件属于ESDA系列,集成了5个单向保护通道,为核心电压约3V的电路提供高效的瞬态电压抑制。

其技术亮点在于极低的线路电容(典型值70pF @ 1MHz)和100W的峰值脉冲功率处理能力。低电容特性使其非常适合用于保护USB、HDMI等高速数据线路,而不会引入显著的信号失真。宽广的工作温度范围(-40°C ~ 125°C)则确保了其在各种环境下的可靠性,是一款面向通用应用的紧凑型电路保护解决方案。

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