STFV3N150

STFV3N150是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220-3通孔封装，其核心架构旨在实现高压环境下的高效与可靠运行。其1500V的漏源击穿电压（Vdss）规格，使其在高压开关应用中能够提供坚固的耐压屏障，有效应对线路中的电压尖峰和浪涌，确保系统长期稳定性。

该器件在功能上展现出针对高压应用优化的特性。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1.3A漏极电流条件下典型值为9欧姆，这一参数平衡了高压器件的导通损耗与制造成本。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在29.3nC（@10V），结合±30V的最大栅源电压（Vgs）耐受能力，意味着它能够被快速驱动并具备良好的抗栅极噪声干扰性能，有助于简化栅极驱动电路设计并提升开关速度。最大30W的功率耗散能力（基于壳温）与高达150°C的结温（TJ）工作范围，赋予了其强大的热管理余量。

在接口与关键参数方面，STFV3N150标称连续漏极电流（Id）为2.5A（壳温条件下），栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V @ 250A，确保了明确的导通与关断状态。其输入电容（Ciss）最大值为939pF @ 25V，是评估开关动态性能的重要依据。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过正规的ST代理商渠道，仍可获取库存或寻找合适的替代方案，以满足既有设备维护或特定设计的需求。

得益于其高压、中电流的特性，STFV3N150非常适用于需要高压开关或电源转换的工业领域。典型的应用场景包括离线式开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、高压DC-DC转换器、以及工业照明（如HID灯）和电机驱动的辅助电源部分。其TO-220封装形式便于安装散热器，适合在注重散热效率和可靠性的功率板卡设计中采用。

• 型号:STFV3N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片
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STFV3N150是ST意法半导体推出的一款高压N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装和PowerMESH技术。其核心卖点在于高达1500V的漏源电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的耐压基础与电流处理能力。

该器件在10V驱动电压下具有9欧姆的典型导通电阻，并配备了低至29.3nC的栅极电荷，有助于实现较低的导通损耗和较快的开关速度。其设计支持高达150°C的结温工作，最大功率耗散为30W，确保了在严苛环境下的可靠性与散热余量。