STC5DNF30V

STC5DNF30V是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用STripFET技术的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件采用紧凑的8-TSSOP表面贴装封装，集成了两个独立的逻辑电平门控MOSFET，专为在低电压、高密度设计中实现高效功率切换而优化。其核心架构基于先进的平面工艺，通过优化单元结构和沟道设计，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了极低的导通电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）的优异平衡，这对于提升开关效率和降低导通损耗至关重要。

在功能特性上，该MOSFET的突出优势在于其逻辑电平门驱动能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为600mV，确保其能被标准的3.3V或5V微控制器GPIO端口直接、可靠地驱动，无需额外的电平转换或复杂的驱动电路，从而简化了系统设计。在4.5V的Vgs条件下，其导通电阻典型值低至35毫欧（在2.3A电流下测量），配合高达4.5A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够高效处理中等功率负载。此外，较低的栅极电荷（最大11.5nC @ 4.5V）和输入电容（最大460pF @ 25V）显著减少了开关过程中的充放电时间与能量损失，有助于实现更高的开关频率和更低的驱动功耗。

该器件的接口与电气参数为其在严苛环境下的稳定运行提供了保障。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应工业级应用的温度波动。最大功耗为1.3W，用户需结合具体散热条件进行热设计。其表面贴装型封装（8-TSSOP）节省了宝贵的PCB空间，非常适合空间受限的便携式或高密度板卡设计。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时，建议通过官方ST代理或ST官网查询推荐的替代型号与库存信息。

基于其技术特点，STC5DNF30V非常适用于需要高效、紧凑功率管理解决方案的领域。典型应用场景包括DC-DC同步整流转换器、电机驱动H桥电路中的低侧开关、负载开关、电池保护电路以及便携式设备中的电源分配管理。在这些应用中，其双通道集成特性可以节省布局空间并简化BOM，而其优异的开关性能则直接有助于提升整体系统的能效与功率密度。

• 型号:STC5DNF30V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8TSSOP
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• 想获取STC5DNF30V的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STC5DNF30V是ST意法半导体STripFET系列中的一款双N沟道逻辑电平功率MOSFET阵列，采用8-TSSOP封装。该器件核心优势在于其优异的性能平衡，在30V漏源电压下提供4.5A连续电流能力，同时实现低至35毫欧（@4.5V， 2.3A）的导通电阻和仅11.5nC的栅极电荷，确保了高效的功率切换与低驱动损耗。

其逻辑电平门控特性（Vgs(th) ≤ 600mV）使其可直接由3.3V/5V微控制器驱动，极大简化了电路设计。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与表面贴装形式，使其成为空间受限、要求高可靠性的紧凑型电源管理、电机驱动及负载开关应用的理想选择。