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ESDA6V1U1RL

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 5VWM 8-SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,ESDA6V1U1RL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESDA6V1U1RL的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ESDA6V1U1RL是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的ESDA系列、TRANSIL产品家族中的一款瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列。该器件采用8-SOIC封装,专为表面贴装工艺设计,其核心架构集成了6个独立的单向保护通道,每个通道均基于优化的齐纳二极管技术构建,旨在为多数据线或信号线提供高效、紧凑的静电放电(ESD)及电气快速瞬变(EFT)防护。

该芯片的核心功能在于其精确的电压箝位能力。其反向断态电压典型值为5V,而最小击穿电压为6.1V,这确保了在正常工作电压下,器件呈现高阻抗状态,对电路影响微乎其微。一旦遭遇超过其击穿电压的瞬态过压尖峰,例如来自人体模型(HBM)或充电设备模型(CDM)的ESD冲击,它能迅速响应,在纳秒级时间内将电压箝位到一个安全水平,从而保护后端敏感的集成电路。其峰值脉冲功率高达200W,提供了强大的瞬态能量吸收能力。对于寻求可靠保护方案的设计师而言,通过专业的ST芯片代理获取此器件,能确保正品供应与技术支持。

在接口与参数方面,ESDA6V1U1RL的6个单向通道设计使其非常适合用于保护多路单向数据传输线路,例如USB数据线、音频接口、按键或GPIO端口等。其封装形式为8-SOIC(宽度3.90mm),符合行业标准的表面贴装规格,便于自动化生产并节省PCB空间。作为一款“有源”状态的通用型保护器件,它无需外部配置即可工作,简化了电路设计。

该芯片的应用场景广泛覆盖各类需要高可靠性ESD防护的电子设备。它常见于消费电子产品,如智能手机、平板电脑和便携式媒体播放器的I/O端口保护;也适用于工业控制、通信模块及汽车电子中的低压信号线路,防止因静电或开关噪声导致的系统故障或损坏。其通用型设计使其成为提升产品电磁兼容性(EMC)和可靠性的一个关键且经济高效的解决方案。

  • 型号:ESDA6V1U1RL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 5VWM 8-SOIC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:6
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):5V
  • 电压 - 击穿(最小值):6.1V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
  • 功率 - 峰值脉冲:200W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取ESDA6V1U1RL的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ESDA6V1U1RL是ST意法半导体推出的一款采用8-SOIC封装的表面贴装TVS二极管阵列。该器件集成了6个单向保护通道,基于齐纳技术,为核心卖点在于为多路低压信号线提供高效的瞬态过压保护。

其典型反向断态电压为5V,最小击穿电压为6.1V,能够精确响应并箝位ESD等瞬态电压尖峰。凭借高达200W的峰值脉冲功率吸收能力,它能有效保护后端IC免受损坏。作为一款通用型有源器件,它主要应用于消费电子、工业控制及通信设备中的I/O接口、数据线和GPIO端口防护,是提升系统可靠性和EMC性能的紧凑型解决方案。

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