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ESDALC6V1P3的图片

ESDALC6V1P3

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 3VWM SOT663
原厂封装:封装:SOT-663
优势价格,ESDALC6V1P3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESDALC6V1P3的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ESDALC6V1P3是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的瞬态电压抑制(TVS)二极管,隶属于其专业的ESDA和TRANSIL产品系列。该器件采用先进的半导体工艺和封装技术,其核心架构基于齐纳二极管原理,通过精确的掺杂和结构设计,在极小的SOT-663封装内集成了两个单向保护通道。这种设计使其能够在纳秒级时间内响应并泄放由静电放电(ESD)或其它电气瞬变事件产生的过电压能量,从而将受保护线路上的电压箝位在一个安全水平,防止后续敏感集成电路遭受损坏。

该器件的功能特点突出体现在其精确的电压保护阈值与稳健的浪涌处理能力上。其反向断态电压典型值为3V,确保在正常工作电压下呈现高阻抗状态,对电路影响微乎其微。当瞬态电压超过其最小击穿电压6.1V时,器件迅速进入低阻抗的雪崩击穿状态,实现电压箝位。尽管其峰值脉冲电流参数未明确标注,但其30W的峰值脉冲功率处理能力,使其能够有效吸收并耗散中等强度的瞬态能量。此外,其工作结温范围宽达-40°C至150°C,保证了在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供应链的客户,可以通过授权的ST芯片代理进行采购咨询与库存查询。

在接口与关键参数方面,ESDALC6V1P3提供两个独立的单向保护通道,适用于对正负电压瞬变需要分别进行防护的应用场景。其采用表面贴装型的SOT-663封装,具有极小的占板面积,非常适合高密度PCB设计。虽然该器件不具备特定的电源线路保护功能,且其电容等高频参数未作详细规定,但其通用型的设计定位使其接口适应性广泛。需要注意的是,根据制造商信息,该零件目前已处于停产状态,在新设计中选择时需充分考虑替代方案和长期供货的可行性。

鉴于其特性,ESDALC6V1P3典型的应用场景涵盖了众多需要ESD防护的通用电子设备接口与数据线。例如,它可以用于保护USB数据线、音频接口、按键开关、低速串行通信线路(如UART、I2C)等免受人体模型(HBM)或机器模型(MM)静电放电的冲击。其紧凑的封装也使其成为空间受限的便携式消费电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备内部电路保护的理想选择之一,为这些设备中工作电压较低的IC提供了一道有效的电压屏障。

  • 型号:ESDALC6V1P3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-663
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 3VWM SOT663
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:2
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):3V
  • 电压 - 击穿(最小值):6.1V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
  • 功率 - 峰值脉冲:30W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-663
  • 供应商器件封装:SOT-663
  • 想获取ESDALC6V1P3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ESDALC6V1P3是ST意法半导体推出的一款采用SOT-663封装的瞬态电压抑制(TVS)二极管。该器件基于齐纳原理,集成了两个单向保护通道,为核心卖点在于其精确的3V反向断态电压与6.1V最小击穿电压,能够为低电压工作线路提供精准的过压保护。

其峰值脉冲功率处理能力达到30W,结合-40°C至150°C的宽工作结温范围,确保了在各类通用应用场景下应对静电放电(ESD)等瞬态事件的可靠性。该器件适用于需要紧凑型ESD防护解决方案的便携式电子设备接口及数据线路。

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