STW13NB60

STW13NB60是ST意法半导体基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心架构通过精细的单元密度控制和创新的沟槽栅工艺，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了稳健的雪崩耐量和快速的开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的显著特性在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与13A的连续漏极电流（Id）能力，这使其能够从容应对离线式开关电源中常见的电压应力和电流负载。其导通电阻在10V驱动电压、6.5A电流条件下典型值仅为540毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，82nC的栅极电荷（Qg）与2600pF的输入电容（Ciss）组合，意味着器件具有较快的开关速度，有助于减少开关过渡过程中的损耗，并简化栅极驱动电路的设计。其最高结温（Tj）可达150°C，采用坚固的TO-247-3通孔封装，确保了在恶劣环境下的可靠散热和长期稳定性。

在接口与参数方面，STW13NB60需要标准的MOSFET驱动逻辑。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，而推荐的驱动电压为10V以获得最低导通电阻，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了充足的驱动安全裕量。功率耗散能力在管壳温度（Tc）下标定为190W，用户需结合适当的散热设计来充分发挥其性能。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以咨询ST中国代理以获取关于库存、替代方案或设计协助等本地化服务。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，这款器件非常适用于要求严苛的功率电子应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、UPS（不间断电源）系统的逆变与整流模块、以及电机驱动和照明镇流器等。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的PowerMESH技术优势，仍在许多现有的高可靠性电源设计方案中发挥着关键作用。

• 型号:STW13NB60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:540 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW13NB60是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通特性，在10V驱动电压下导通电阻（Rds(on)）低至540毫欧，结合82nC的栅极电荷（Qg），实现了低导通损耗与快速开关速度的良好平衡。这些特性使其特别适用于提升开关电源、电机驱动及UPS等系统的整体能效与功率密度。