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T1235H-8I

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNSTR 800V 12A TO220AB
原厂封装:封装:TO-220AB 绝缘
优势价格,T1235H-8I的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T1235H-8I的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T1235H-8I是ST意法半导体H-SERIES T系列中的一款高性能三端双向可控硅开关元件(TRIAC)。该器件采用成熟的平面钝化工艺制造,内部为单路配置,其核心架构旨在实现高电压阻断能力和强大的电流处理性能,同时确保在交流相位控制应用中的稳定触发与可靠关断。

该芯片的核心特性在于其800V的高断态电压12A的RMS通态电流能力,这使其能够从容应对工业级应用中的电压波动和负载冲击。其栅极触发特性经过优化,最大触发电压(Vgt)仅为1.3V,最大触发电流(Igt)为35mA,这意味着它可以使用低功耗的控制电路(如微控制器GPIO直接或通过简单驱动)轻松触发,简化了系统设计。此外,其高达150°C的结温工作范围(-40°C ~ 150°C TJ)和出色的非重复浪涌电流承受能力(50Hz下120A,60Hz下126A),赋予了其在恶劣环境下极高的鲁棒性和可靠性。

在接口与参数方面,T1235H-8I采用标准的TO-220-3通孔封装,便于安装散热器以应对大电流工作下的热耗散。其保持电流(Ih)最大值同样为35mA,确保了在触发后能够稳定导通,直至负载电流自然过零。这些参数共同构成了一个高效、坚固的交流开关解决方案。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

得益于其高电压、大电流和宽温域的特性,T1235H-8I非常适合于要求严苛的工业与消费类应用。典型应用场景包括工业交流电机控制、固态继电器(SSR)、交流调光器、加热控制系统以及大功率照明控制等。在这些领域中,它能够作为核心功率开关元件,实现对交流电源的精确、高效和长寿命的相位控制或开关操作。

  • 型号:T1235H-8I
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220AB 绝缘
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNSTR 800V 12A TO220AB
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):35 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220AB 绝缘
  • 想获取T1235H-8I的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

T1235H-8I是ST意法半导体推出的一款高性能三端双向可控硅,属于H-SERIES T系列。该器件设计用于高要求的交流开关与控制应用,其核心卖点在于高达800V的断态电压和12A的RMS通态电流处理能力,能够承受显著的电压应力和负载电流。

该可控硅具备优异的触发特性,最大栅极触发电压仅1.3V,触发电流35mA,便于与低压控制电路接口。同时,其工作结温范围宽达-40°C至150°C,并拥有强大的浪涌电流承受能力(120A @ 50Hz),确保了在恶劣电气环境及温度条件下的高可靠性与长寿命,适用于电机控制、固态继电器及加热控制等工业级场景。

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