ESDZV18-1BF4

ESDZV18-1BF4是ST意法半导体推出的一款采用微型0201（0603公制）封装的双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，隶属于其ESDZ系列。该器件基于先进的硅基齐纳二极管技术构建，其核心架构旨在为高速数据线和I/O端口提供高效的静电放电（ESD）及电气过应力（EOS）保护。其内部集成一个双向保护单元，能够对正负两个方向的瞬态过压事件做出快速响应，从而确保被保护电路在复杂的电磁环境中稳定工作。

该器件的关键特性在于其卓越的箝位性能和极低的寄生电容。其击穿电压（V_BR）最小值为18V，在承受瞬态冲击时，能将过压箝位在最高21.5V的水平，为后级敏感电路提供了一道坚固的屏障。尤为突出的是，其在1MHz频率下的典型电容值仅为3pF，这一超低电容特性使其几乎不会对高速信号（如USB、HDMI、天线接口等）的完整性造成影响，避免了信号衰减和失真。其表面贴装设计便于自动化生产，能有效节省PCB空间，适合高密度板卡布局。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

在电气参数方面，ESDZV18-1BF4符合IEC 61000-4-2标准（接触放电±8kV，空气放电±15kV）的ESD防护要求，提供可靠的系统级保护。其双向单通道结构简化了电路设计，无需考虑极性，可直接并联在信号线与地之间。紧凑的0201封装使其成为空间受限应用的理想选择，同时保证了良好的热性能和电气可靠性。

该TVS二极管主要面向需要高水平ESD保护的便携式电子设备与高速通信接口。其典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备的USB Type-C端口、高清多媒体接口（HDMI）、显示端口、射频天线模块以及各类传感器接口的保护。在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中，它能够有效防护因人体静电、感应开关浪涌等引起的瞬态电压尖峰，提升终端产品的可靠性与耐用性，是设计工程师实现稳健电路保护的优选元器件。

• 型号:ESDZV18-1BF4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ST0201
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 21.5VC ST0201
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 类型:齐纳
• 单向通道:-
• 双向通道:1
• 电压 - 反向断态（典型值）:-
• 电压 - 击穿（最小值）:18V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:21.5V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
• 功率 - 峰值脉冲:-
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:3pF @ 1MHz
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:0201（0603 公制）
• 供应商器件封装:ST0201
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ESDZV18-1BF4是ST意法半导体生产的一款微型、双向TVS保护二极管，采用0201表面贴装封装。该器件专为保护高速数据线与I/O端口免受ESD和瞬态电压事件损害而设计。

其核心优势在于结合了高效的过压保护能力与极低的信号干扰。器件提供18V的最小击穿电压和21.5V的最大箝位电压，确保可靠抑制过压。同时，其典型电容值低至3pF @ 1MHz，这一特性使其非常适合用于USB、HDMI、天线等高速接口，能在提供强大保护的同时最大限度地保持信号完整性。