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ESM2030DV

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN DARL 300V 67A ISOTOP
原厂封装:封装:ISOTOP
优势价格,ESM2030DV的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESM2030DV的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ESM2030DV是ST意法半导体推出的一款高性能NPN达林顿功率晶体管,采用坚固的ISOTOP封装,专为高电压、大电流的开关及线性放大应用而设计。其核心架构基于成熟的达林顿对管设计,将两个NPN晶体管以复合形式集成,从而在单颗器件上实现了极高的直流电流增益。这种结构使得该器件能够以相对较小的基极驱动电流,精确控制高达数十安培的负载电流,极大地简化了前级驱动电路的设计复杂度,并提升了系统的整体可靠性。

该器件的功能特点突出体现在其强大的功率处理能力与优异的电气性能上。集电极-发射极击穿电压高达300V,使其能够从容应对工业电机驱动、开关电源等场合中常见的电压应力。最大集电极电流达到67A,配合150W的最大功耗,赋予了其驱动大功率负载的硬实力。其饱和压降在56A的大电流条件下典型值仅为1.5V,这意味着在导通状态下的功率损耗较低,有助于提升能效并减少散热需求。此外,在56A、5V条件下,其最小直流电流增益(hFE)高达300,这一特性确保了出色的电流放大能力,使得驱动电路可以更为精简。

在接口与参数方面,ESM2030DV采用底座安装(ISOTOP)封装,这种封装形式具有良好的机械强度和出色的散热性能,便于通过散热器将芯片结温(Tj)控制在最高150°C的额定工作温度范围内,保障了其在严苛环境下的长期稳定运行。用户可通过我们的ST授权代理渠道获取该产品的技术资料与库存信息。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的性能,使其在诸多现有系统和备件更换市场中依然具有重要价值。

其典型的应用场景覆盖了需要高可靠性功率控制的工业与汽车领域。例如,在工业自动化中,它常被用于电磁阀、继电器线圈、直流电机的驱动电路;在开关电源和UPS(不间断电源)系统中,可作为开关元件或线性稳压器的调整管;在汽车电子中,可用于大电流的灯组驱动或电机控制模块。其高耐压、大电流、高增益的特性,使其成为工程师在构建高效、紧凑型功率解决方案时的经典选择之一。

  • 型号:ESM2030DV
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:ISOTOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN DARL 300V 67A ISOTOP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):67 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):300 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 1.6A,56A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):300 @ 56A,5V
  • 功率 - 最大值:150 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:ISOTOP
  • 供应商器件封装:ISOTOP
  • 想获取ESM2030DV的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ESM2030DV是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管,采用ISOTOP封装,专为高要求的功率开关与放大应用设计。该器件集成了高达300V的集射极击穿电压和67A的最大集电极电流处理能力,核心优势在于其极高的电流增益,在56A、5V条件下最小hFE可达300,能以极小的基极电流驱动大功率负载。

其饱和压降低至1.5V @ 56A,有效降低了导通损耗,而150W的最大功耗配合底座安装封装,确保了出色的热管理性能,最高结温可达150°C。这些参数共同定义了一款适用于工业电机驱动、电源转换及大电流线性控制等场景的强力、高效功率开关解决方案。

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