STGW35HF60WD

STGW35HF60WD是ST意法半导体推出的一款采用TO-247-3封装的高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件集成了快速恢复二极管，构成了一个紧凑且高效的功率开关解决方案。其核心架构基于成熟的沟槽栅场截止技术，这种设计在优化导通压降与开关损耗之间取得了良好平衡，为600V电压等级的中等功率应用提供了坚实的性能基础。

该IGBT在15V栅极驱动电压、20A集电极电流条件下，最大饱和压降仅为2.5V，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其开关特性表现均衡，开启延迟时间为30ns，关断延迟时间为175ns，配合290J的开启能量和185J的关断能量，使其能够在较高的开关频率下稳定工作，同时将开关损耗控制在合理范围内。集电极连续电流额定值为60A，脉冲电流能力可达150A，提供了充足的电流裕量以应对负载瞬变。其集成的快速恢复二极管反向恢复时间仅为50ns，有效减少了续流阶段的开关应力和电磁干扰。

器件采用标准电平输入驱动，栅极电荷为140nC，对驱动电路的要求较为友好。其最大耗散功率为200W，结合通孔安装的TO-247封装，具有良好的散热能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过正规的ST授权代理进行采购与咨询。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时应考虑其替代型号。

凭借600V的击穿电压、60A的电流处理能力以及优化的开关性能，STGW35HF60WD非常适用于工业电机驱动、不同断电源（UPS）、太阳能逆变器以及焊接设备等领域的功率转换环节。在这些应用中，它能够作为核心开关元件，高效地执行直流到交流或直流到直流的能量变换任务，是实现高功率密度和高效能系统设计的可行选择之一。

• 型号:STGW35HF60WD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 60A TO-247-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:200 W
• 开关能量:290J（导通），185J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:140 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns
• 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):50 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
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STGW35HF60WD是ST意法半导体生产的一款600V/60A IGBT功率器件，采用TO-247-3通孔封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在20A电流下最大饱和压降仅2.5V，有助于降低导通损耗；同时，其开关能量与延迟时间经过优化，支持较高频率的开关操作。

该器件集成了快速恢复二极管，反向恢复时间短至50ns，能有效改善系统EMI性能。其额定功率为200W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备良好的热可靠性，适用于对效率和鲁棒性有要求的工业功率应用场景。