FERD15S50DJF-TR

FERD15S50DJF-TR是ST意法半导体推出的一款采用先进场效应整流器（FERD）技术的单路整流二极管。该器件采用专为高功率密度应用优化的PowerFlat封装，其核心架构旨在通过创新的半导体结构，在紧凑的物理尺寸内实现极低的导通损耗和优异的开关性能。这种设计使其在需要高效率和高可靠性的现代电源系统中表现出色。

该整流二极管的一个显著特点是其极低的正向压降，在10A的电流下典型值仅为480mV，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，它具备快速恢复特性，反向恢复时间小于500纳秒，能有效减少开关过程中的电压尖峰和开关损耗，尤其适用于高频开关电源拓扑。其反向漏电流在50V反向电压下仅为650A，体现了良好的阻断特性。对于需要本地技术支持和供应链保障的设计项目，可以联系ST中国代理获取更详细的产品资料和供货信息。

在电气参数方面，FERD15S50DJF-TR的额定平均整流电流高达15A，最大反向重复电压为50V，提供了充足的电流处理能力和电压裕量。其采用表面贴装技术，封装为8引脚的PowerVDFN（也称为PowerFlat 5x6），这种封装具有优异的热性能，其紧凑的占板面积（约5mm x 6mm）非常适合空间受限的PCB布局，同时其低热阻特性有助于将芯片产生的热量高效传导至电路板，提升系统的长期可靠性。

基于其高电流能力、低损耗和快速开关特性，这款二极管非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括服务器和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源的次级侧整流、电机驱动电路中的续流二极管，以及各类工业电源和汽车电子系统中的功率整流环节。其快速恢复特性使其在采用同步整流技术的现代高效电源设计中尤为有价值，能够有效提升电源的转换效率并降低电磁干扰。

• 型号:FERD15S50DJF-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE FERD 50V 15A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:FERD（场效应整流器二极管）
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:50 V
• 电流 - 平均整流 (Io):15A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 10 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650 A @ 50 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
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FERD15S50DJF-TR是ST意法半导体生产的一款高性能表面贴装整流二极管。该器件采用先进的FERD（场效应整流器二极管）技术，在紧凑的PowerFlat封装内集成了高达15A的平均整流电流处理能力和50V的最大反向电压。

其核心优势在于极低的导通损耗，在10A电流下正向压降仅为480mV，同时具备快速恢复特性（≤500ns），能显著降低高频开关应用中的开关损耗和噪声。这些特性使其成为高效率、高功率密度开关电源和电机驱动等应用的理想选择。