STD2LN60K3

STD2LN60K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在单芯片上实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心架构旨在有效管理高电压下的电场分布，从而确保在600V的漏源电压（Vdss）下仍能保持稳定的电气性能和可靠性，最高结温（TJ）可达150°C，为苛刻的开关环境提供了宽泛的安全工作裕度。

该MOSFET的功能特点突出体现在其优异的开关性能与能效上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为12nC，结合235pF的输入电容（Ciss），意味着器件在开关过程中所需的驱动能量小，有助于降低开关损耗并提升系统整体频率响应，使得高频开关应用成为可能。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，提供了较强的抗干扰能力。

在接口与关键参数方面，STD2LN60K3采用标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装，便于自动化生产并具有良好的散热特性。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为2A，最大功耗为45W（Tc）。阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了与常见逻辑电平或驱动IC的良好兼容性。这些参数共同定义了一个高效、坚固的功率开关解决方案。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过正规的ST授权代理进行采购与咨询。

基于其600V的高压能力和优化的动态特性，该器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）中，例如作为反激式、正激式拓扑中的主开关管。它也常见于功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器、电机驱动辅助电源以及工业控制系统的低功率AC-DC变换环节。在这些应用场景中，其低导通电阻和快速开关能力有助于提升电源转换效率，满足日益严格的能效标准。

• 型号:STD2LN60K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD2LN60K3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD2LN60K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用DPAK封装，设计用于表面贴装应用，核心优势在于其600V的高漏源击穿电压（Vdss）与优化的开关特性之间的出色平衡。

其技术参数表明，该MOSFET在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻，同时栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）值较小，这共同确保了较低的导通损耗与开关损耗，提升了整体能效。额定2A的连续漏极电流（Id）和高达150°C的结温（TJ）使其能够在紧凑的空间内处理可观的功率，适用于对效率和可靠性有较高要求的开关电源设计。