STI23NM60ND

STI23NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I2PAK封装，专为高电压、高功率应用环境设计，旨在提供优异的开关性能和导通效率。其核心架构通过优化的单元设计和先进的沟槽工艺，在确保高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），这是其高性能表现的基础。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换和电机驱动中常见的高压母线环境。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达19.5A，配合仅180毫欧（在10A，10V条件下）的低导通电阻，意味着在导通期间能够实现极低的功率损耗，有效提升系统整体能效。此外，其栅极电荷（Qg）典型值控制在较低水平，这有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使开关电源能在更高频率下稳定工作，从而减小磁性元件的体积和成本。

在电气参数方面，该器件需要标准的10V栅极驱动电压以达到完全导通状态，其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，提供了良好的噪声抑制能力。其栅源电压（Vgs）可承受±25V的最大值，为驱动设计提供了充足的裕量。尽管器件标称的输入电容（Ciss）相对较大，但结合其优化的Qg特性，在实际开关动态中仍能保持良好的性能。其最大结温（Tj）为150°C，在I2PAK封装下可实现高达150W（Tc）的功率耗散能力，确保了在严苛热环境下的可靠运行。对于需要获取此型号技术支持和供货服务的用户，可以联系ST中国代理以获取进一步的协助。

得益于其高耐压、大电流和低损耗的特性，STI23NM60ND非常适用于要求高可靠性和高效率的功率电子领域。典型应用包括工业开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、UPS（不间断电源）系统的逆变和整流模块、以及电机驱动和照明镇流器等。其稳健的设计使其成为构建紧凑、高效功率转换解决方案的关键组件。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号。

• 型号:STI23NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI23NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和19.5A的连续漏极电流（Id），为高压大功率应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在低损耗特性上，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为180毫欧，同时栅极电荷（Qg）也保持在较低水平。这些特性共同作用，旨在实现更低的导通与开关损耗，从而提升系统整体能效与功率密度。该器件适用于工业电源、电机驱动等对效率和可靠性有严苛要求的领域。