STL24N65M2

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STL24N65M2是一款采用先进MDmesh M2技术平台的高压N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，在单晶片上实现了超结（Super-Junction）特性，通过精心平衡导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间的关系，显著提升了功率转换效率。其核心在于降低了单位面积下的导通损耗和开关损耗，使得器件在高压高频应用中能够兼顾性能与可靠性，这一架构是意法半导体在功率半导体领域深厚技术积累的体现。

在电气特性方面，STL24N65M2具备650V的漏源击穿电压（V_DSS）和14A的连续漏极电流（I_D）能力，为离线电源应用提供了充足的电压余量和电流处理能力。其导通电阻在典型工作条件下（7A，10V V_GS）最大仅为250毫欧，有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，器件拥有较低的栅极总电荷（Q_G典型值29nC @ 10V）和输入电容（C_iss），这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升系统整体能效，尤其是在硬开关和软开关拓扑中表现优异。

该MOSFET采用表面贴装型PowerFlat HV（8x8）封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积。其低热阻特性有助于将芯片结温（T_J）产生的热量高效传导至PCB，结合高达125W（T_C）的功率耗散能力，确保了器件在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作。其栅极驱动电压范围宽（V_GS最大±25V），阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，与常见的控制器驱动电路兼容性好，便于设计。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低损耗和高开关频率潜力，STL24N65M2非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的开关模式电源（SMPS）初级侧、功率因数校正（PFC）电路、工业电机驱动和变频器中的辅助电源，以及照明领域的LED驱动电源。其稳健的设计使其能够应对这些应用中常见的电压应力、电流应力和热应力挑战，是工程师构建下一代高效、紧凑型电源解决方案的理想选择。

• 型号:STL24N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 14A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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STL24N65M2是ST意法半导体基于MDmesh M2技术制造的一款N沟道高压功率MOSFET。该器件额定值为650V漏源电压和14A连续漏极电流，采用先进的超结技术，在7A电流和10V栅极驱动下，其导通电阻最大值仅为250毫欧，同时保持了较低的栅极电荷（典型29nC），有效优化了导通损耗与开关损耗的平衡。

其采用热性能优异的表面贴装PowerFlat HV（8x8）封装，支持高达125W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些特性使其成为适用于开关电源（SMPS）初级侧、功率因数校正（PFC）及高频工业电源等追求高效率和高功率密度应用的可靠解决方案。