STB6NK60Z-1

STB6NK60Z-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极架构，通过优化单元密度和沟槽几何形状，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。这种架构的核心优势在于，它有效地平衡了高耐压（600V Vdss）与低导通损耗（Rds(on)）之间的矛盾，为高压开关应用提供了高效的解决方案。其设计确保了在高温工作条件下的稳定性和可靠性，结温（TJ）范围覆盖-55°C至150°C。

该MOSFET的电气特性体现了SuperMESH系列的低损耗设计理念。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于降低开关损耗并简化驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，从而允许使用更小的磁性元件。最大30V的Vgs规格为栅极驱动提供了充足的裕量，增强了抗干扰能力。对于需要技术支持与供应的用户，可以联系ST中国代理获取详细的产品资料和设计支持。

在封装与接口方面，STB6NK60Z-1采用了通孔安装的I2PAK封装。这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，其金属背板便于直接安装散热器，以有效耗散高达110W（Tc）的功率。其引脚排列兼容常见的TO-220封装，为现有设计的升级或替换提供了便利。该器件在25°C壳温下可支持高达6A的连续漏极电流，适用于中等功率等级的应用。

凭借其600V的耐压和良好的开关特性，这款器件非常适合应用于需要高效功率转换和控制的场合。典型的应用领域包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及照明镇流器等。在这些应用中，其低导通电阻和优化的动态参数有助于提升能效等级，减少热设计压力，实现更紧凑、更可靠的系统设计。需要注意的是，该产品状态已标记为不适用于新设计，建议在新项目中评估意法半导体的更新换代产品。

• 型号:STB6NK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:905 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB6NK60Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心规格包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下6A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于通过优化的内部结构，实现了较低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg），这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，有助于提升电源系统的整体效率。最大110W的功率耗散能力和宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在苛刻环境下的可靠运行。