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D45H11

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS PNP 80V 10A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,D45H11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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D45H11的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体旗下的一款经典功率晶体管,D45H11采用PNP型双极性结型晶体管(BJT)架构,其核心设计旨在实现高电流下的可靠开关与线性放大。器件采用成熟的TO-220-3通孔封装,内部结构优化了载流子传输路径,确保了在高达10A的集电极电流和80V的集射极电压下,仍能维持稳定的电气性能与热特性。其结温最高可承受150°C,为在严苛环境下的持续工作提供了保障。

该晶体管的一个突出特性是其优异的饱和压降表现,在基极电流为400mA、集电极电流高达8A的典型工作条件下,集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))最大值仅为1V。这一低饱和压降特性直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效,特别适用于需要处理大电流的开关电路。同时,其直流电流增益(hFE)在4A、1V条件下最小值达到40,提供了良好的电流驱动能力,简化了前级驱动电路的设计。

在电气参数方面,D45H11定义了明确的工作边界:最大集电极电流10A,集电极-发射极击穿电压80V,最大功耗50W。其集电极截止电流低至10A,体现了良好的关断特性。这些参数共同构成了一个坚固可靠的工作窗口。用户可以通过ST中国代理获取完整的数据手册、应用笔记以及可靠的原厂供货支持,以进行精确的电路设计和热管理评估。

凭借其高电流容量、中高压耐受能力以及TO-220封装带来的便利散热特性,D45H11非常适合应用于各类电源管理单元,如线性稳压器的调整管、开关电源中的次级侧整流或驱动电路。它也常见于电机控制、音频功率放大以及工业设备中的继电器或电磁阀驱动等场景,为工程师提供了一个经久耐用、性能可预测的功率开关解决方案。

  • 型号:D45H11
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 80V 10A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):10A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 4A,1V
  • 功率 - 最大值:50 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 想获取D45H11的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

D45H11是ST意法半导体推出的一款PNP型功率双极性晶体管,采用标准的TO-220-3通孔封装。其核心规格包括80V的集射极击穿电压和10A的最大集电极电流,最大功耗为50W,适用于中高功率应用。

该器件的关键优势在于其优异的饱和特性,在8A大电流下饱和压降最大值仅为1V,能显著降低导通损耗。同时,其直流电流增益(hFE)最小值达40,确保了有效的电流放大与控制能力。这些特性使其成为电源转换、电机驱动和线性放大电路中高效可靠的开关或放大元件。

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