FERD20H60CTS

FERD20H60CTS是ST意法半导体推出的一款采用先进场效应整流器（FERD）技术的双二极管阵列。该器件采用1对共阴极配置，集成于经典的TO-220-3通孔封装内，为工程师提供了一个高集成度、高可靠性的功率整流解决方案。其核心架构基于优化的半导体工艺，旨在显著降低传统快恢复二极管在开关过程中产生的损耗和噪声，特别适用于对效率和电磁干扰（EMI）有严格要求的开关电源拓扑。

该器件的核心优势在于其卓越的开关性能与低导通损耗的结合。其正向压降（Vf）在10A电流下典型值仅为575mV，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，它具备快速恢复特性，恢复时间短于500ns（在>200mA条件下），能有效抑制反向恢复电流尖峰，减少开关噪声并降低开关应力，从而提升系统可靠性并简化缓冲电路设计。其最高反向工作电压（Vr）为60V，每二极管平均整流电流（Io）达10A，并能在高达175°C的结温下稳定工作，展现了宽泛的安全工作区和强大的鲁棒性。

在电气参数方面，FERD20H60CTS在60V反向电压下的典型反向漏电流仅为200A，确保了在关断状态下极低的功率损耗。TO-220AB封装提供了优异的散热能力，便于通过散热器将芯片产生的热量高效导出，这对于维持器件在高温环境下的长期稳定性至关重要。用户可以通过正规的ST代理商获取该产品的完整数据手册、应用笔记以及技术支持，以确保设计的合规性与最优化。

基于其高性能指标，FERD20H60CTS非常适用于需要高效整流和续流的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的次级侧整流、DC-DC转换器、电机驱动电路中的续流二极管，以及不间断电源（UPS）和逆变器系统。其快速恢复特性使其成为高频PWM应用的理想选择，有助于提升功率密度并降低整体方案尺寸与成本。

• 型号:FERD20H60CTS
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY FERD 60V 10A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:FERD（场效应整流器二极管）
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:60 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):575 mV @ 10 A
• 速度:无恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 A @ 60 V
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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FERD20H60CTS是ST意法半导体生产的一款采用TO-220-3封装的共阴极双快恢复二极管阵列。该器件集成了先进的场效应整流器（FERD）技术，在10A额定电流下提供低至575mV的正向压降，有效降低了导通损耗。其快速恢复特性（≤500ns）能显著改善开关性能，减少反向恢复引起的噪声和应力。

该二极管具备60V的最大反向耐压和10A的每二极管平均整流电流，工作结温最高可达175°C，确保了在苛刻环境下的高可靠性。其紧凑的阵列设计和优异的电气性能，使其成为开关电源、电机驱动及各类功率转换电路中高效整流与续流应用的优选解决方案。