FERD20U60DJF-TR

FERD20U60DJF-TR是ST意法半导体推出的一款高性能场效应整流器二极管，采用先进的半导体工艺与封装技术，旨在为高效率、高功率密度的电源转换应用提供核心整流解决方案。该器件属于FERD系列，其核心架构基于优化的半导体结与封装设计，实现了极低的正向压降与快速的开关特性，有效降低了导通与开关损耗，提升了系统整体能效。

该整流二极管具备多项突出的功能特性。其最大反向电压(Vr)为60V，平均整流电流(Io)高达20A，能够承受较高的功率等级。在20A的额定电流下，其正向压降(Vf)典型值仅为510mV，这一极低的导通压降特性显著减少了功率耗散，对于提升系统效率至关重要。同时，它被定义为快速恢复二极管，其恢复速度满足快速恢复 ≤ 500ns (在 > 200mA Io条件下) 的要求，这使其在开关频率较高的应用中可以有效抑制反向恢复电流尖峰，减少电磁干扰并降低开关器件的应力。其反向漏电流在60V反向电压下典型值为800A，处于较低水平，有助于降低待机功耗。

在接口与物理参数方面，FERD20U60DJF-TR采用表面贴装型封装，具体为8-PowerVDFN，供应商器件封装名称为PowerFlat (5x6)。这种紧凑的封装形式具有优异的热性能和低寄生参数，其底部裸露的散热焊盘便于将芯片产生的热量高效传导至PCB铜箔，从而在有限的占板面积内实现更高的电流处理能力和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的ST中国代理获取该产品的技术支持和供货信息。

基于其高电流能力、低Vf和快速恢复的特性，这款二极管非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括服务器、通信设备中的开关电源(SMPS)次级侧整流、DC-DC转换器、电机驱动电路中的续流二极管，以及各类需要高效整流的工业电源模块。其PowerFlat封装也使其成为空间受限的现代电子设备的理想选择。

• 型号:FERD20U60DJF-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE FERD 60V 20A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:FERD（场效应整流器二极管）
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:60 V
• 电流 - 平均整流 (Io):20A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 20 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800 A @ 60 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
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FERD20U60DJF-TR是ST意法半导体生产的一款大电流、低损耗场效应整流器二极管。该器件核心参数包括60V的最大反向耐压和20A的平均整流电流，其关键优势在于极低的正向压降，在20A电流下典型值仅为510mV，能显著降低导通损耗，提升电源转换效率。

此外，它具备快速恢复特性（≤500ns），适用于高频开关电源的整流应用，能有效改善EMI性能并降低开关应力。器件采用热性能优异的表面贴装PowerFlat (5x6)封装，便于散热设计，适合高功率密度应用。综合其参数，该二极管是针对高效率、高可靠性电源解决方案而优化的核心功率器件。