FERD30H100STS

FERD30H100STS是ST意法半导体推出的一款高性能场效应整流器二极管（FERD），采用经典的TO-220AB通孔封装。该器件代表了现代功率整流技术的一个重要方向，其核心架构基于先进的半导体工艺，将肖特基二极管的低正向压降特性与快速恢复二极管的优异开关性能相结合。这种设计旨在克服传统PN结整流二极管在高压、大电流应用中反向恢复电荷高、开关损耗大的固有缺点，为高效率功率转换系统提供了优化的解决方案。

该芯片的功能特点非常突出。其最大反向电压（Vr）达到100V，平均整流电流（Io）高达30A，能够胜任大多数中高功率场景的整流需求。尤为关键的是，在30A的满额电流下，其正向压降（Vf）典型值仅为745mV，显著低于同等规格的普通快恢复二极管，这意味着在导通期间产生的功耗和热量将大幅降低，直接提升了系统的整体能效。同时，它被定义为快速恢复类型，其反向恢复时间极短，确保了在开关频率日益提升的现代电源拓扑中，由二极管关断拖尾电流引起的开关损耗被有效抑制。其反向漏电流在100V反向电压下仅为130A，表现出优异的阻断特性。

在接口与参数方面，FERD30H100STS提供了明确的电气边界。其TO-220AB封装不仅机械强度高、便于安装散热器，也使其与广泛使用的功率MOSFET和线性稳压器在物理形态上兼容，简化了PCB布局和系统集成。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品，确保元器件的正宗来源和后续服务。这些参数共同定义了一个高效、可靠的功率处理单元。

基于其技术特性，该器件的典型应用场景主要集中在要求高效率和高可靠性的功率电子领域。它非常适合用作开关模式电源（SMPS）的次级侧整流，例如在服务器电源、通信电源及工业电源中。此外，在电机驱动电路的续流回路、不间断电源（UPS）的整流模块以及各类DC-DC转换器中，其快速恢复和低导通损耗的特性也能显著改善系统性能，降低热设计难度，是实现高功率密度电源设计的关键元器件之一。

• 型号:FERD30H100STS
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220AB
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE FERD 100V 30A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:FERD（场效应整流器二极管）
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io):30A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):745 mV @ 30 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:130 A @ 100 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220AB
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
• 想获取FERD30H100STS的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

FERD30H100STS是ST意法半导体生产的一款大电流、快速恢复整流二极管。该器件采用FERD（场效应整流器二极管）技术，在TO-220AB封装内实现了优异的电气性能，其核心参数包括100V的最大反向耐压和30A的平均整流电流能力。

其技术优势主要体现在极低的导通损耗和快速的开关特性上。在30A的额定电流下，正向压降仅为745mV，这直接降低了导通状态下的功耗。同时，作为一款快速恢复二极管，它能有效减少开关过程中的能量损失，提升电源系统的整体效率。这些特性使其成为中高功率开关电源、电机驱动和功率转换电路中高效整流和续流应用的理想选择。