STP5NB40

STP5NB40是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220AB通孔封装。该器件隶属于ST先进的PowerMESH产品系列，这一架构通过优化的单元设计和低栅极电荷实现了低导通电阻与快速开关性能的出色平衡。其核心基于成熟的平面MOSFET技术，通过精细的工艺控制，在400V的额定电压下提供了可靠的性能基础，特别适用于需要高效能量转换的中等功率应用环境。

该MOSFET的显著特性在于其电气参数的均衡性。它具备400V的漏源击穿电压（Vdss）和4.7A的连续漏极电流（Id）承载能力。在驱动方面，其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，确保了在标准逻辑电平下的易驱动性，而最大±30V的栅源电压范围则提供了良好的抗干扰鲁棒性。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动、2.3A漏极电流条件下最大仅为1.8欧姆，这直接关系到导通状态下的功率损耗，较低的Rds(on)是提升系统整体效率的关键。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在20nC，结合405pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗较低，有利于实现更高频率的开关操作。

在接口与热管理方面，STP5NB40采用标准的TO-220AB三引脚（栅极、漏极、源极）封装，便于在各类PCB上进行通孔安装和散热处理。其最大功耗为80W（基于壳温），结温最高可至150°C，这为设计中的热设计留出了充足余量。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计代表了当时中压功率MOSFET的成熟解决方案，在库存允许的情况下，仍可用于对成本敏感且对长期供货灵活性要求不高的项目。对于需要寻找替代方案或进行新产品设计的工程师，可以咨询专业的ST芯片代理以获取最新的产品线信息和技术支持。

基于其400V/4.7A的额定规格和良好的开关特性，STP5NB40非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器中的逆变桥臂以及电子镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够有效地承担功率开关的核心任务，将直流或低频交流电能进行高效转换与控制。

• 型号:STP5NB40
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 4.7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP5NB40是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，属于其PowerMESH系列。该器件核心规格为400V漏源电压（Vdss）与4.7A连续漏极电流（Id），为中等功率开关应用提供了坚实的电压与电流处理能力基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。最大1.8欧姆的导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，而最大20nC的低栅极电荷（Qg）则有利于实现高速开关并减少驱动损耗。器件支持最高150°C结温，热性能可靠，适用于需要高效能量转换的电源与电机控制设计。