FERD40M45CT

FERD40M45CT是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能整流二极管阵列，采用先进的场效应整流器（FERD）技术。该器件采用TO-220-3通孔封装，内部集成了一对共阴极配置的二极管，专为要求高效率、高可靠性的功率转换应用而设计。其核心架构基于优化的半导体工艺，实现了极低的正向压降与快速的开关特性，有效降低了导通损耗和开关损耗，提升了系统整体能效。

该器件的一个显著特点是其卓越的电气性能。其最大反向直流电压（Vr）为45V，每二极管平均整流电流（Io）高达20A，能够处理可观的功率等级。在20A的额定电流下，其正向压降（Vf）典型值仅为500mV，这一极低的导通压降是FERD技术的直接体现，对于减少功率耗散、降低热管理需求至关重要。同时，它具备快速恢复特性，恢复时间不超过500ns（在电流大于200mA条件下），这使其在高频开关电路中能有效抑制反向恢复电流尖峰，减少电磁干扰（EMI）并提升开关电源的稳定性。

在接口与参数方面，FERD40M45CT提供了优异的温度稳定性和可靠性。其反向漏电流在45V反向电压下典型值为650A，处于较低水平。最大结温（Tj）高达175°C，赋予了其宽泛的工作温度范围和强大的过载承受能力。标准的TO-220AB封装不仅便于安装和散热，也使其与广泛的现有PCB设计和散热方案兼容。对于需要确保元器件来源可靠和供货稳定的客户，可以通过官方ST授权代理进行采购。

基于其高电流能力、低损耗和快速开关特性，该器件非常适合应用于各类中高功率的直流-直流（DC-DC）转换器、开关模式电源（SMPS）的次级侧整流、电机驱动电路中的续流或钳位保护，以及电池充电管理等场景。在这些应用中，它能有效提升电源效率，减小系统体积，并增强在严苛环境下的长期运行可靠性。

• 型号:FERD40M45CT
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY FERD 45V 20A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:FERD（场效应整流器二极管）
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:45 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:20A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 20 A
• 速度:无恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650 A @ 45 V
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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FERD40M45CT是ST意法半导体生产的一款有源、采用TO-220-3封装的双二极管阵列。其核心卖点在于结合了高电流处理能力与优异的效率特性。该器件采用1对共阴极的FERD（场效应整流器二极管）配置，每二极管可承受20A的平均整流电流，并在20A工作电流下呈现仅500mV的极低正向压降，显著降低了导通损耗。

同时，它具备快速恢复特性（≤500ns），适用于高频开关应用，能有效改善开关电源的效率和EMI性能。其最大反向电压为45V，最高结温达175°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。这款二极管阵列是要求高效率、高功率密度电源设计的理想选择。