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HSP061-2N4

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 3VWM 4UQFN
原厂封装:封装:4-uQFN(1x0.8)
优势价格,HSP061-2N4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSP061-2N4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

HSP061-2N4是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的HSP系列高性能瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的3V转向装置(轨至轨)架构,专为保护高速数据线免受静电放电(ESD)和电气过载(EOS)等瞬态电压事件而设计。该器件集成了两个独立的单向保护通道,能够为差分信号对提供非对称箝位保护,确保信号在正向和负向瞬态事件中都能得到有效抑制,其核心设计理念是在极低电容与高浪涌能力之间取得精密平衡。

该芯片的关键特性在于其极低的线路电容与精确的箝位性能。在200MHz至3GHz的宽频范围内,其典型电容值仅为0.6pF,这一特性对于保护HDMI、以太网等高速接口的信号完整性至关重要,能最大程度地减少对高速数据信号造成的插入损耗和信号畸变。其反向断态电压典型值为3V,最小击穿电压为6V,能够为低工作电压的精密电路提供紧密的电压保护窗口。作为一款有源器件,它支持电源线路保护,并采用表面贴装型4-XFDFN(亦称4-UQFN)超小型封装,非常适合高密度PCB布局。

在接口与参数方面,HSP061-2N4的两个单向通道使其能够灵活配置,为单端或差分线路提供针对性保护。其宽广的工作结温范围(-40°C至150°C)确保了在严苛工业环境或消费电子设备中的可靠运行。用户可以通过官方授权的ST代理渠道获取完整的技术规格、评估板以及设计支持服务,以加速产品开发进程。

该器件的典型应用场景集中于需要高信号完整性和强健ESD保护的高速数据通信与视频接口领域。它非常适合用于保护千兆以太网(GbE)的PHY芯片接口、HDMI 2.0/2.1的TMDS数据线、USB 3.0/3.1数据线以及其他对电容敏感的高速串行总线。通过将HSP061-2N4部署在连接器或芯片的I/O端口附近,设计工程师能够有效提升终端产品的系统级ESD防护能力,满足IEC 61000-4-2等国际电磁兼容性标准要求,从而增强产品的可靠性与市场竞争力。

  • 型号:HSP061-2N4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:4-uQFN(1x0.8)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 3VWM 4UQFN
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:转向装置(轨至轨)
  • 单向通道:2
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):3V
  • 电压 - 击穿(最小值):6V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
  • 功率 - 峰值脉冲:-
  • 电源线路保护:是
  • 应用:以太网,HDMI
  • 不同频率时电容:0.6pF @ 200MHz ~ 3GHz
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-XFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:4-uQFN(1x0.8)
  • 想获取HSP061-2N4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSP061-2N4是ST意法半导体生产的一款专为高速接口设计的TVS保护二极管。该器件采用3V转向装置(轨至轨)类型,提供两个单向保护通道,核心优势在于其极低的线路电容(典型值0.6pF @ 200MHz~3GHz),能有效保护信号完整性,同时其3V的反向断态电压和6V的最小击穿电压为低压电路提供了精确的电压箝位。

该芯片采用4-XFDFN超小型表面贴装封装,工作结温范围宽达-40°C至150°C,支持电源线路保护,主要应用于以太网、HDMI等对ESD防护和信号质量有严苛要求的场景,是提升高速数据端口可靠性的关键元件。

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