IRF520

IRF520是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220AB通孔封装，属于其成熟的STripFET II产品系列。该器件基于先进的平面MOSFET技术构建，其核心在于优化了单元结构和沟道设计，旨在实现较低的导通电阻与快速的开关特性之间的良好平衡。其栅极采用标准的硅栅工艺，通过精密的氧化物层厚度控制，确保了稳定的阈值电压和可靠的栅极驱动性能。

该器件在10V栅极驱动电压下，能够提供100V的漏源击穿电压(Vdss)和10A的连续漏极电流(Id)承载能力，其导通电阻(Rds(on))在7A、10V条件下典型值仅为270毫欧，这直接转化为较低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。其栅极电荷(Qg)最大值控制在22nC，结合460pF的输入电容(Ciss)，意味着器件具备较快的开关速度，能够有效降低开关过程中的功率损耗，适用于中等频率的开关应用。其栅源电压(Vgs)可承受±20V的范围，为驱动电路的设计提供了充足的裕量。

在接口与参数方面，IRF520的阈值电压(Vgs(th))最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。其最大功耗在管壳温度为25°C时可达60W，宽广的工作结温范围覆盖-55°C至175°C，使其能够适应严苛的环境条件。标准的TO-220AB封装提供了优异的散热性能和机械强度，便于通过散热片进行热管理。用户可通过正规的ST代理商获取该产品的技术资料与库存信息，需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需考虑替代方案或库存持续性。

凭借其稳健的电气参数，IRF520在各类功率转换与控制场景中曾得到广泛应用。它常见于DC-DC转换器、电机驱动桥臂（如中小功率有刷直流电机或步进电机驱动）、继电器替代电路以及开关电源的初级或次级侧开关。其100V的耐压使其非常适合用于24V或48V总线系统的负载开关及PWM调速控制。在音频放大器中，它也可用于构建Class D放大器的输出级。其通孔封装形式使其在原型验证、工业控制板卡及需要高可靠性的设备中备受青睐。

• 型号:IRF520
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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IRF520是ST意法半导体STripFET II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件核心特性包括100V的漏源电压(Vdss)和10A的连续漏极电流(Id)处理能力，在10V栅极驱动下，其导通电阻(Rds(on))低至270毫欧（@7A），能有效降低导通状态下的功率损耗。

其开关性能由22nC的栅极电荷(Qg)和460pF的输入电容(Ciss)所表征，确保了中速开关应用中的效率。器件支持±20V的栅源电压，阈值电压最大为4V，工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功耗为60W（Tc），具备良好的鲁棒性和环境适应性。这些参数使其成为中等功率开关和线性放大应用的经典选择。