IRF530

IRF530是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220AB通孔封装。该器件基于STripFET II技术平台构建，该架构通过优化的单元设计和工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻与快速开关特性的良好平衡。其核心在于通过降低栅极电荷和米勒电容，显著改善了开关性能，同时保持了稳健的雪崩耐量和体二极管特性，为功率转换应用提供了可靠的基础。

该器件具备100V的漏源击穿电压和14A的连续漏极电流能力，为其在中等功率场景中的应用奠定了基础。其导通电阻在10V栅极驱动、7A漏极电流条件下典型值仅为160毫欧，这一低导通损耗特性直接提升了系统的整体效率。栅极阈值电压最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力和与标准逻辑电平驱动的兼容性。此外，其栅极总电荷Qg最大值控制在21nC，结合458pF的输入电容，意味着它所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并减少开关损耗。

在电气参数方面，IRF530支持高达±20V的栅源电压，为驱动设计提供了充足的裕量。其最大功率耗散能力为60W，结合宽泛的结温工作范围（-55°C至175°C），使其能够适应严苛的环境条件。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关的产品资料和供应链服务。该器件采用标准TO-220AB封装，便于安装在散热器上，满足通孔焊接的工艺要求。

凭借其电压和电流规格，IRF530非常适合应用于DC-DC转换器、电机驱动控制器、开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流，以及各类需要中功率开关功能的工业控制模块中。其平衡的性能参数使其成为对效率、成本和可靠性均有要求的项目中的经典选择之一。

• 型号:IRF530
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:458 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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IRF530是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用TO-220AB封装。该器件核心特性包括100V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于中等功率的开关应用。

其技术优势体现在较低的导通损耗与良好的开关性能上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为160毫欧。同时，最大21nC的栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关操作并简化驱动电路设计。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。