BD679

BD679是ST意法半导体推出的一款高性能NPN达林顿功率晶体管，采用经典的TO-225AA（TO-126-3）通孔封装，专为需要高电流增益和中等功率处理能力的应用而设计。其核心架构基于达林顿对管配置，将两个NPN晶体管以复合形式集成，这种设计显著放大了输入电流，从而在较低的基极驱动电流下即可实现对高集电极电流的精确控制，极大地简化了前级驱动电路的设计复杂度。

该器件的突出功能特点在于其卓越的电流放大能力与稳健的电气性能。在1.5A集电极电流和3V集射极电压条件下，其直流电流增益(hFE)最小值高达750，这意味着极小的输入电流便能驱动安培级的负载，非常适合微控制器或逻辑芯片直接驱动。同时，其集电极-发射极击穿电压高达80V，最大集电极电流为4A，最大功耗为40W，提供了宽裕的安全工作区。其饱和压降在1.5A电流下典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体系统效率。结温最高可承受150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。

在接口与参数方面，BD679作为三端器件，其引脚定义与标准功率晶体管兼容，便于电路板布局和替换。关键电气参数如集电极截止电流低至500A，有助于降低待机功耗。用户可通过ST授权代理获取完整的数据手册、应用笔记以及样品支持，以进行深入的设计验证。其稳定的性能和标准化的封装使其易于集成到各类电源管理和控制系统中。

基于其高增益、高电压和高电流的处理能力，BD679非常适合应用于多种工业与消费电子领域。典型应用场景包括线性稳压电源的调整管、音频功率放大器的输出级、电机驱动电路中的开关或线性驱动元件，以及继电器、螺线管、指示灯等感性或阻性负载的驱动器。在需要将低压控制信号转换为高功率输出的场合，BD679提供了一种高效、可靠的半导体解决方案。

• 型号:BD679
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-32-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:750 @ 1.5A，3V
• 功率 - 最大值:40 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3
• 供应商器件封装:SOT-32-3
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BD679是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管，采用TO-126-3通孔封装。其核心卖点在于极高的电流放大能力，在1.5A/3V条件下直流电流增益(hFE)最小值达750，能够以极小的基极电流驱动高达4A的集电极负载，极大简化了驱动电路设计。

该器件具备80V的集射极击穿电压和40W的最大功耗，提供了良好的电压裕量和功率处理能力。其较低的饱和压降有助于提升效率，150°C的最高结温确保了高温环境下的可靠性。这些特性使其成为电机驱动、电源调整、音频放大及各类负载开关驱动应用的理想选择。