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ITA10B1

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 8VWM 19VC 8-SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,ITA10B1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ITA10B1的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ITA10B1是ST意法半导体推出的ITA, TRANSIL系列瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用8-SOIC表面贴装封装,专为通用型电路保护设计。该器件基于齐纳二极管技术构建,其核心架构集成了五个独立的双向保护通道,能够对数据线或信号线中出现的正负瞬态过电压进行有效箝位。这种多通道集成设计在紧凑的封装内实现了对多路信号的同步保护,优化了PCB空间利用率,尤其适合I/O接口密集的应用场景。

在功能特性上,ITA10B1展现出稳健的浪涌防护能力。其反向断态电压为8V,确保在正常电路工作电压下保持高阻态,对系统影响极小。当遭遇瞬态过压时,器件击穿电压最小值为10V,并能在承受25A(8/20s波形)峰值脉冲电流时,将箝位电压最大值有效限制在19V以内,峰值脉冲功率可达300W。这一特性使其能够吸收并泄放由静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)或雷击感应浪涌等事件产生的能量,防止后续精密电路受损。其双向通道设计意味着无需考虑极性即可接入电路,简化了设计和安装流程。此外,在1MHz频率下其典型电容值为570pF,这一参数对于保护高速数据线路时的信号完整性评估至关重要。客户可通过ST授权代理获取该产品的完整技术资料与供应链支持。

从接口与参数来看,该器件采用标准的8-SOIC封装,便于自动化贴装生产。其箝位电压与峰值电流参数定义了保护窗口,工程师需根据被保护线路的工作电压与可能面临的浪涌等级进行选型匹配。尽管该器件未集成专门的电源线路保护功能,且产品状态已标注为停产,但其成熟的通用保护方案在诸多现有设计和备件供应中仍具参考价值。其“通用”应用定位使其广泛适用于消费电子、工业控制、通信模块等领域的接口防护。

在应用场景方面,ITA10B1非常适合用于保护RS-232、RS-485、CAN总线等通信接口,以及USB、HDMI等数字端口,防止因外部干扰或热插拔引起的瞬态电压损坏主控芯片。在工业环境中,它可用于传感器信号线、继电器线圈等节点的浪涌抑制。设计人员需要综合考虑其箝位电压、通流能力和结电容对具体电路的影响,以确保在提供可靠保护的同时,不影响系统的正常功能与性能。

  • 型号:ITA10B1
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 8VWM 19VC 8-SOIC
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:5
  • 电压 - 反向断态(典型值):8V
  • 电压 - 击穿(最小值):10V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):19V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):25A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:300W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:570pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取ITA10B1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ITA10B1是ST意法半导体生产的一款多通道TVS二极管阵列,采用8-SOIC封装,提供紧凑高效的电路保护解决方案。该器件集成了5个双向保护通道,其核心卖点在于能够将高达25A(8/20s)的峰值脉冲电流下的电压箝位在最大值19V,峰值脉冲功率处理能力达300W,能有效抑制ESD、EFT等多种瞬态过压事件。

器件具有8V的反向断态电压和10V的最小击穿电压,适用于通用型信号线路的保护。其570pF @ 1MHz的典型电容值,为高速信号接口的防护设计提供了关键参数依据。此集成化设计简化了多线防护的电路布局,是通信接口、数据端口和工业控制信号线浪涌保护的典型选择。

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