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L6221CD

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20-SO
原厂封装:封装:20-SO
优势价格,L6221CD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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L6221CD的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

L6221CD是ST意法半导体推出的一款高集成度、高可靠性的四通道NPN达林顿晶体管阵列芯片,采用紧凑的20引脚SOIC封装,专为需要多路中功率开关或驱动能力的应用而设计。其核心架构基于四个独立的NPN达林顿对管单元,每个单元内部集成了预驱动级和输出级,这种结构显著提高了电流增益,使得微控制器或逻辑电路能够以极小的基极驱动电流控制高达1.2A的集电极负载电流,有效简化了外围电路设计并提升了系统驱动效率。

该器件具备出色的电气特性,其集电极-发射极击穿电压高达60V,确保了在工业控制、汽车电子等存在电压波动或感性负载反峰电压场景下的稳定运行。芯片采用表面贴装技术,工作结温范围覆盖-40°C至150°C,使其能够适应苛刻的环境温度条件。虽然该产品目前已处于停产状态,但在存量系统维护或特定设计选型中,通过可靠的ST芯片代理渠道,依然可以获取原装正品以保障项目延续性。其高集成度、高耐压和宽温工作范围构成了其主要的技术优势。

在接口与参数方面,L6221CD的每个通道都是一个完整的达林顿开关,输入兼容TTL/CMOS逻辑电平,输出端可直接驱动继电器、步进电机绕组、LED灯组、小型直流电机等感性或阻性负载。其封装形式为20-SOIC,占板面积小,适合高密度PCB布局。尽管其动态参数如饱和压降、直流电流增益和开关频率在标准资料中未明确标注,但其达林顿结构本身就意味着在饱和区具有较低的Vce(sat)压降趋势,有利于降低导通损耗。

得益于其多通道、中功率的开关能力,L6221CD典型应用于需要多路负载控制的场合,例如打印机和扫描仪的电机与电磁铁驱动、工业自动化设备中的多路指示灯或阀门控制、汽车车身电子模块(如车窗升降、座椅调节驱动)以及游戏机外围设备驱动等。它为设计工程师提供了一种将低压控制逻辑与中压、中功率负载进行安全、高效隔离和驱动的单芯片解决方案。

  • 型号:L6221CD
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:20-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20-SO
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.2A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):60V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):-
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
  • 功率 - 最大值:-
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:20-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:20-SO
  • 想获取L6221CD的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

L6221CD是ST意法半导体生产的一款四通道NPN达林顿晶体管阵列,集成于20-SOIC表面贴装封装内。该器件每个通道可提供高达1.2A的集电极输出电流,并承受最大60V的集射极电压,适用于需要多路中功率开关控制的场景。

其达林顿结构确保了高电流增益,能够被微控制器等低电流逻辑信号直接驱动,显著简化了驱动电路设计。芯片支持-40°C至150°C的宽结温范围,满足工业及汽车电子应用对环境适应性的严苛要求,是一款用于驱动继电器、螺线管、电机及LED灯组等负载的经典集成驱动解决方案。

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