STI26NM60N

STI26NM60N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，通过创新的单元布局和工艺技术，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心架构旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。该芯片集成于坚固的I2PAK通孔封装中，提供了良好的功率处理能力和散热特性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其600V的漏源击穿电压使其能够可靠地工作在高压离线式电源环境中。在25°C壳温条件下，器件可支持高达20A的连续漏极电流，并具备140W的功率耗散能力。其导通电阻在10V驱动电压、10A测试条件下典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗。同时，栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于减少开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压最大可承受±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在关键参数方面，STI26NM60N展现了MDmesh II系列标志性的性能。其最大栅极阈值电压为4V，确保了良好的噪声免疫能力。优化的动态参数组合使其非常适用于硬开关和软开关拓扑。用户在选择时，可通过正规的ST一级代理获取详细的技术资料和可靠供货渠道，以支持产品设计与生产。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需评估替代方案和长期供货情况。

得益于其高耐压、低损耗和坚固的封装，STI26NM60N主要面向要求高效率和高可靠性的功率电子应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级和主逆变桥、工业电机驱动和变频器中的功率开关、以及不同断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源转换设备。在这些领域中，它能够有效提升系统能效，并满足严苛的 thermal 和电气环境要求。

• 型号:STI26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI26NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用通孔式I2PAK封装，核心设计旨在为高压、高功率应用提供优异的开关性能与可靠性。

其关键电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id），确保了在严苛工况下的稳健运行。通过优化的技术，该MOSFET实现了较低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg），这直接有助于降低系统的导通损耗与开关损耗，从而提升整体能效。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及能源转换系统中功率开关部分的理想选择。