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L6221CD013TR

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20-SO
原厂封装:封装:20-SO
优势价格,L6221CD013TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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L6221CD013TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

L6221CD013TR是ST意法半导体推出的一款集成式多通道达林顿晶体管阵列芯片,采用单片硅结构设计,将四个独立的NPN达林顿对集成于同一封装内。其核心架构基于成熟的达林顿复合管技术,每个通道由两个级联的NPN晶体管构成,这种设计显著提高了电流增益,使得芯片能够以极小的基极驱动电流控制较大的负载电流。内部集成了用于感性负载续流的钳位二极管,为驱动继电器、步进电机线圈等感性元件提供了必要的保护,简化了外围电路设计。

该器件具备高达60V的集电极-发射极击穿电压每通道1.2A的连续集电极电流能力,确保了在工业控制、汽车电子等严苛环境下的稳定性和可靠性。其达林顿结构带来的高电流增益特性,使其能够直接与微控制器、逻辑芯片等低电平输出端口接口,无需额外的预驱动级,有效降低了系统复杂度和成本。芯片采用表面贴装型20-SOIC封装,具有良好的散热性能和紧凑的占板面积,适合高密度PCB布局。用户可以通过正规的ST代理渠道获取该产品的技术支持和供应信息。

在电气参数方面,L6221CD013TR支持宽范围的工作温度(-40°C至150°C结温),适用于从消费电子到工业自动化等多种环境。其饱和压降特性经过优化,有助于在导通状态下降低功耗。四通道的独立设计允许同时或分时控制多个负载,为多路开关、指示灯阵列或小型电机驱动提供了高度集成的解决方案。接口设计简洁,主要控制信号为各通道的基极输入,输出则为对应的集电极开路形式,提供了灵活的负载连接方式和上拉电压选择。

该芯片典型的应用场景包括打印机、复印机等办公自动化设备中的螺线管和电机驱动,工业控制柜中的继电器或小型直流电机控制,以及汽车车身电子模块中的灯组、风扇驱动等。其高集成度和可靠性使其成为需要多路中功率开关功能设计的优选方案,尽管该产品目前已处于停产状态,但在许多现有设备和备件市场中仍具有重要价值。

  • 型号:L6221CD013TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:20-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20-SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.2A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):60V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):-
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
  • 功率 - 最大值:-
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:20-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:20-SO
  • 想获取L6221CD013TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

L6221CD013TR是ST意法半导体生产的一款四通道NPN达林顿晶体管阵列,集成于20-SOIC表面贴装封装中。该器件集成了四个独立的高增益达林顿对,每个通道可承受高达60V的集射极电压并提供1.2A的连续集电极电流输出能力,专为驱动继电器、螺线管、直流电机及LED阵列等感性或阻性负载而优化。

其核心优势在于高集成度与驱动简便性,达林顿结构确保了仅需微控制器级别的逻辑信号即可有效控制较大负载,同时内部集成的续流二极管简化了针对感性负载的反电动势保护电路。宽工作结温范围(-40°C至150°C)使其能够适应苛刻的工业与汽车电子环境,是一款适用于多路中功率开关控制应用的经典集成解决方案。

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