L6386D013TR

L6386D013TR是ST意法半导体推出的一款高压半桥栅极驱动器IC，采用紧凑的14-SOIC封装，专为高效、可靠的功率开关应用而设计。该器件集成了两个独立的驱动通道，分别用于控制高压侧和低压侧的功率开关管，其架构基于自举电容技术，能够为高压侧驱动提供高达600V的电气隔离，同时简化了高压浮动电源的设计。内部集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，确保在电源电压不足时可靠关断，防止功率管工作在线性区而产生过热损坏。

该驱动器的核心功能特点在于其强大的驱动能力和快速的开关性能。峰值输出电流能力达到拉出650mA、灌入400mA，能够快速对IGBT或N沟道MOSFET的栅极电容进行充放电，有效减少开关损耗。典型的上升和下降时间分别为50ns和30ns，确保了功率器件在高频开关应用中的高效率。其输入逻辑采用反相设计，兼容标准的微控制器或PWM控制器信号，逻辑电平阈值（VIL=1.5V， VIH=3.6V）使其能够与广泛的3.3V或5V逻辑系统无缝接口。用户可以通过ST授权代理获取完整的设计支持与样品。

在电气参数方面，L6386D013TR的供电电压最高为17V，为驱动逻辑和内部电路提供稳定工作点。其独立式通道设计赋予了设计灵活性，允许用户单独配置和控制两个驱动通道。器件的工作结温范围宽达-40°C至150°C，保证了其在严苛工业环境下的稳定运行。表面贴装的封装形式便于自动化生产，卷带（TR）包装则优化了大规模组装流程。

这款驱动器主要面向需要高边开关控制的离线或直流母线应用场景。它非常适合用于电机驱动、开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等系统中的半桥或同步整流拓扑。其高耐压、快速开关和强驱动能力，使其成为构建紧凑、高效功率转换方案的理想选择，尤其在对空间和能效有严格要求的工业与消费类电子设备中表现出色。

• 型号:L6386D013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
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L6386D013TR是ST意法半导体的一款高压半桥栅极驱动器，采用14-SOIC表面贴装封装。该器件设计用于驱动IGBT和N沟道MOSFET，其高压侧可承受最高600V的电压，并集成了自举二极管，简化了高压浮动电源设计。

它提供高达650mA（拉出）和400mA（灌入）的峰值驱动电流，配合50ns（典型上升）和30ns（典型下降）的快速开关时间，能有效降低开关损耗，提升系统效率。其工作电压最高17V，逻辑输入兼容反相信号，并具备宽泛的-40°C至150°C工作结温范围，确保在苛刻环境下的可靠性，适用于电机控制、电源转换等应用。