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ULQ2004D1013TR

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16-SO
原厂封装:封装:16-SO
优势价格,ULQ2004D1013TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ULQ2004D1013TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ULQ2004D1013TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高集成度、高可靠性的七通道NPN达林顿晶体管阵列。该器件采用单片集成电路工艺,将七个独立的达林顿对管集成于一个紧凑的封装内,其核心架构基于成熟的达林顿对管设计,每个通道均由两个级联的NPN晶体管构成。这种结构提供了极高的电流增益,使得微控制器或逻辑电路能够以极小的驱动电流(基极电流)控制相对较大的负载电流,有效解决了低压数字系统与高压/大电流负载之间的接口难题。

该芯片的功能特点突出表现在其强大的驱动能力和优异的集成度上。每个通道的集电极-发射极击穿电压高达50V,连续集电极电流能力为500mA,足以驱动继电器、步进电机、白炽灯、LED显示阵列以及各类螺线管等感性或阻性负载。其达林顿结构带来了极高的直流电流增益,典型值在1000以上(测试条件:Ic=350mA, Vce=2V),这意味着仅需数百微安的基极驱动电流即可实现数百毫安负载的饱和导通。每个通道的输出端都集成了续流二极管,为驱动感性负载时产生的反电动势提供了泄放回路,极大地简化了外围电路设计并增强了系统的可靠性。对于需要稳定供应渠道的客户,可以通过授权的ST一级代理进行采购,以确保产品的正品来源和技术支持。

在接口与电气参数方面,ULQ2004D1013TR设计为完全兼容TTL、CMOS和PMOS逻辑电平的输入。其输入引脚内部集成了串联电阻,可直接与5V、3.3V等常见逻辑电平连接,无需外部分压或限流电阻,简化了PCB布局。在饱和状态下,集电极-发射极饱和压降(Vce(sat))最大值为1.6V(测试条件:Ic=350mA, Ib=500A),较低的饱和压降有助于减少芯片自身的功耗和发热。器件采用表面贴装型的16引脚SOIC封装,宽度为3.90mm,非常适合空间受限的现代电子设备。其结温(Tj)最高可承受150°C,确保了在严苛环境下的稳定工作。

基于上述特性,ULQ2004D1013TR广泛应用于需要多路中功率开关控制的场合。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的继电器或电磁阀驱动板、办公自动化设备(如打印机、扫描仪)的电机与离合控制、汽车电子中的车身控制模块(如车窗、雨刷、座椅调节驱动)、智能家居系统中的多路负载控制,以及测试仪器和消费电子产品中的显示背光或指示器驱动。其高集成度显著减少了元件数量、PCB面积和组装成本,是高效率、高可靠性系统设计的理想选择。

  • 型号:ULQ2004D1013TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:16-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16-SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:7 NPN 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 500A,350mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
  • 功率 - 最大值:-
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:16-SO
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ULQ2004D1013TR是ST意法半导体生产的一款七通道NPN达林顿晶体管阵列,采用16-SOIC表面贴装封装。该器件集成了七个独立的高增益达林顿对管,专为接口驱动和开关应用而优化。

其核心电气参数包括每通道50V的集射极击穿电压和500mA的连续集电极电流能力,配合高达1000以上的直流电流增益,使其能够以极低的逻辑电平输入电流有效驱动继电器、螺线管、直流电机及指示灯等负载。内部集成输入电阻和输出续流二极管,极大简化了外围电路设计。

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