BUV26

BUV26是ST意法半导体推出的一款高性能NPN双极性功率晶体管，采用经典的TO-220-3通孔封装，以其坚固的物理结构和出色的热管理能力著称。该器件内部采用优化的垂直结构设计，旨在实现高电流承载与高击穿电压之间的平衡，其集电极-发射极击穿电压高达90V，最大集电极电流为10A，能够应对工业环境中常见的电压波动和负载冲击。其核心架构确保了在饱和区工作时具有较低的导通损耗，同时维持了良好的开关特性，为功率控制应用提供了可靠的基础。

该晶体管的功能特点突出体现在其功率处理能力上，最大功耗可达85W，结合高达175°C的结温工作能力，使其能够在高温环境下稳定运行。其饱和压降典型值在特定条件下（如1.2A基极电流、12A集电极电流时）最大仅为1.5V，这意味着在导通状态下，器件自身的功率损耗较低，有助于提升整体系统的能效。对于需要驱动感性或重负载的应用，其强健的电流处理能力是关键优势。用户可以通过授权的ST代理获取关于该器件停产前的详细技术支持和库存信息。

在接口与参数方面，BUV26的标准TO-220封装便于安装散热器，极大地提升了其在满负荷或连续工作模式下的热可靠性。其电气参数，包括90V的V_CEO和10A的I_C，定义了一个清晰的工作边界，工程师在设计时需要确保工作点处于安全操作区内。虽然其频率跃迁等动态参数未在标准数据表中明确标出，但其设计更侧重于中低频、高电流的开关与线性放大应用，其直流电流增益等参数需参考具体的工作曲线。

基于其技术规格，BUV26非常适合应用于需要中等电压和高电流处理的功率电子领域。典型的应用场景包括线性稳压电源的调整管、电机驱动电路中的H桥或半桥开关元件、音频放大器的输出级，以及各种工业控制设备中的电磁阀、继电器驱动器。其高耐压和高电流能力使其成为处理突入电流和感性负载反电动势的理想选择，尽管该产品目前已处于停产状态，但在许多现有设备和维修市场中，它仍然是一个备受信赖的解决方案。

• 型号:BUV26
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 90V 10A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:90 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 1.2A，12A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:-
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:-
• 功率 - 最大值:85 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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BUV26是ST意法半导体生产的一款NPN功率双极性晶体管，采用TO-220封装。其核心电气规格包括90V的集电极-发射极击穿电压和10A的最大集电极电流，能够处理高达85W的功率，适用于要求高耐压和大电流驱动的应用场景。

该器件在饱和区的压降较低（最大1.5V @ 1.2A, 12A），有助于减少导通损耗，提升系统效率。其结温最高可工作于175°C，结合通孔封装良好的散热特性，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性，主要面向电源调整、电机驱动及工业控制等领域的功率开关与放大功能。