STB150N3LH6

STB150N3LH6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VI和DeepGATE技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其核心设计通过降低栅极电荷（Qg）和栅漏电荷（Qgd），显著减少了开关过程中的能量损失，这对于高频开关应用至关重要。同时，该架构确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性，结温（TJ）最高可达175°C，使其能够适应严苛的工作环境。

该MOSFET的关键电气特性使其在功率控制领域表现突出。其漏源电压（Vdss）为30V，在壳温（Tc）条件下可支持高达80A的连续漏极电流（Id）。最显著的优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅源驱动电压（Vgs）和40A漏极电流条件下，典型值仅为3毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，与标准逻辑电平兼容，便于驱动电路设计。较低的栅极电荷（最大80nC @ 10V）也有助于降低驱动损耗，提升开关速度。

在接口与封装方面，STB150N3LH6采用表面贴装型的TO-263（DPAK）封装。这种封装具有良好的散热性能和机械强度，其最大功率耗散能力为110W（Tc），便于通过PCB铜箔进行热管理。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了足够的驱动安全裕量。输入电容（Ciss）最大为3800pF @ 25V，是评估其开关动态特性的重要参数。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关的技术支持和库存信息。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和稳健的封装，这款器件非常适合用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括同步整流、电机驱动控制、DC-DC转换器（尤其是降压和负载点转换器）以及各类电源管理系统中的开关元件。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设计和特定的工业、汽车电子系统中，它仍然是一个经过验证的高性能解决方案，尤其适用于对效率和功率密度有较高要求的场合。

• 型号:STB150N3LH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB150N3LH6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB150N3LH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用DeepGATE和STripFET VI技术的产品系列。该器件设计用于提供卓越的功率处理效率，其核心卖点在于极低的导通电阻，在10V Vgs和40A Id条件下典型值仅为3毫欧，这能显著降低传导损耗。

该MOSFET的额定参数为30V漏源电压和80A连续漏极电流（Tc），封装于TO-263（DPAK）表面贴装封装内，最大功率耗散为110W。其低栅极电荷（最大80nC）确保了快速的开关性能，而高达175°C的结温工作范围则保证了其在苛刻环境下的可靠性，使其成为高效电源转换和电机驱动应用的理想选择。