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TIP132

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,TIP132的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TIP132的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TIP132是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款NPN达林顿功率晶体管,采用经典的TO-220-3通孔封装。该器件内部集成了两个双极型晶体管,构成了一个高增益的复合结构。这种达林顿架构使得输入级晶体管的小基极电流能够驱动输出级晶体管产生大的集电极电流,从而在实现高电流放大能力的同时,保持了驱动电路的简洁性。其内部通常还集成了加速二极管和泄放电阻,以优化开关特性并提高稳定性。

该晶体管的核心优势在于其卓越的电流驱动能力和高直流电流增益。在4A集电极电流和4V集射极电压的典型工作条件下,其最小直流电流增益(hFE)高达1000,这意味着仅需很小的基极驱动电流即可控制高达8A的负载电流,极大地减轻了前级控制电路(如微控制器或逻辑芯片)的负担。其集电极-发射极击穿电压最高可达100V,提供了充足的电压裕量,适用于多种中压应用场景。高达8A的连续集电极电流处理能力150°C的最大结温,确保了其在功率开关和线性放大应用中的可靠性与耐用性。

在电气参数方面,TIP132在30mA基极电流、6A集电极电流条件下的最大饱和压降(VCE(sat))为4V,这一特性使其在完全导通状态下具有较低的功耗。其集电极截止电流最大值为500A,表明了良好的关断特性。最大功耗为2W,用户在设计散热时需结合实际工作条件进行计算。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高增益、大电流和坚固的TO-220封装,TIP132非常适合用于需要中功率控制的场合。典型应用包括电机驱动(如直流电机、步进电机的H桥电路)、继电器或电磁阀的驱动、线性稳压电源的调整管、音频放大器的输出级,以及各种照明控制系统(如卤素灯调光)。其设计平衡了性能、成本与易用性,是工程师在构建可靠功率接口时的经典选择之一。

  • 型号:TIP132
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):100 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):4V @ 30mA,6A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V
  • 功率 - 最大值:2 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 想获取TIP132的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TIP132是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管,采用TO-220封装。该器件集成了高增益达林顿对管,在4A,4V条件下最小直流电流增益(hFE)高达1000,能够以极小的基极输入电流高效控制高达8A的负载电流,显著简化驱动电路设计。

其集电极-发射极击穿电压达100V,最大饱和压降为4V @ 6A,确保了在中压、中电流开关及线性放大应用中的高效与稳定。结合150°C的最大结温,TIP132为电机驱动、电源调整、继电器控制和音频放大等应用提供了坚固可靠的功率开关解决方案。

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