L6386E

L6386E是ST意法半导体推出的一款高压半桥栅极驱动器IC，采用经典的14引脚DIP通孔封装，专为高效、可靠地驱动功率开关器件而设计。其内部集成了两个独立的驱动通道，分别用于控制半桥拓扑中的高侧和低侧开关管。该架构的核心在于其自举电路设计，允许高侧驱动器在高达600V的浮动电压下稳定工作，从而简化了高压侧供电的复杂性，同时集成了完善的逻辑控制、电平转换和保护功能单元，确保了驱动信号的精确与安全。

该器件具备多项突出的电气特性。其工作电压最高可达17V，兼容广泛的逻辑电平，输入阈值设计为1.5V（VIL）和3.6V（VIH），确保了与微控制器或数字信号处理器的良好接口兼容性。在驱动能力方面，峰值拉电流和灌电流分别达到650mA和400mA，能够快速对功率MOSFET或IGBT的栅极电容进行充放电，从而有效降低开关损耗。其典型的上升和下降时间仅为50ns和30ns，这有助于实现高频开关操作，提升整体电源系统的功率密度和效率。所有内部功能在-40°C至150°C的宽结温范围内均能保证稳定运行，适用于严苛的工业环境。

在接口与参数层面，L6386E采用了反相输入逻辑，这为系统设计提供了灵活的PWM信号控制选项。其高侧驱动的浮动电压能力与快速的开关特性相结合，使得它特别适合于需要处理高电压摆幅和快速切换的应用。尽管该型号目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标在相关领域仍具有参考价值，用户可通过正规的ST芯片代理渠道咨询库存或替代方案。

基于其强大的驱动性能和高压处理能力，L6386E的传统应用场景主要集中在电机控制、开关电源（SMPS）以及不间断电源（UPS）系统中的功率转换部分。它能够有效地驱动构成半桥、全桥或同步整流电路的N沟道MOSFET或IGBT，广泛应用于工业自动化、家电变频驱动以及中高功率的AC-DC、DC-AC转换器中，为系统提供高效、紧凑的栅极驱动解决方案。

• 型号:L6386E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:14-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:14-DIP
• 想获取L6386E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

L6386E是STMicroelectronics生产的一款高压半桥栅极驱动器集成电路，采用14-DIP通孔封装。该器件集成了两个独立通道，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计，其高侧驱动可支持高达600V的自举电压，简化了高压侧供电设计。

其核心电气参数表现出强大的驱动能力和快速的开关性能。器件提供650mA拉电流和400mA灌电流的峰值输出，结合低至50ns（上升）和30ns（下降）的典型开关时间，能够实现功率开关器件的快速、高效切换。其逻辑输入兼容1.5V至3.6V的阈值电压，便于与主流控制器接口，并能在-40°C至150°C的宽温度范围内稳定工作。