L6387

L6387是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高压半桥栅极驱动器IC，采用经典的8引脚MiniDIP封装，专为驱动N沟道功率MOSFET或IGBT设计。其内部集成了两个独立的驱动通道，分别用于控制高压侧和低压侧开关管，构成了一个完整的半桥驱动核心。该架构集成了自举二极管和电平移位电路，高压侧通道能够承受高达600V的绝对最大电压，这使得它能够直接应用于母线电压较高的场合，简化了高压侧电源的生成方案，仅需一个外部自举电容和二极管即可为高边驱动器供电。

在功能实现上，该器件展现了出色的性能与可靠性。其输入级采用反相逻辑设计，与常见的微控制器PWM输出信号兼容，简化了接口电路。为了确保功率开关管的快速、可靠开关，L6387提供了强大的驱动能力，峰值拉电流和灌电流分别达到650mA和400mA，结合典型值仅为50ns和30ns的快速上升与下降时间，能有效减小开关损耗并抑制电磁干扰（EMI）。内置的欠压锁定（UVLO）功能为高低压两侧通道提供了独立的电源电压监控，当供电电压低于安全阈值时，会强制关闭输出，防止功率管在欠压状态下线性导通而损坏，这一特性对于系统的鲁棒性至关重要。

从电气接口与参数来看，L6387的逻辑输入兼容TTL/CMOS电平，其阈值设计（VIL=1.5V， VIH=3.6V）确保了良好的噪声容限。其工作电源电压范围宽泛，最高可达17V，为驱动不同规格的MOSFET提供了灵活性。该器件具备宽广的工作结温范围（-45°C 至 125°C），使其能够适应严苛的工业环境。尽管该型号目前已处于停产状态，但在许多存量设计和维护中仍具有重要价值，工程师可以通过授权的ST代理商获取相关库存或替代产品信息。

在应用场景方面，L6387凭借其高压半桥驱动能力，主要面向需要高效功率转换和电机控制的领域。它非常适合用于构建开关模式电源（SMPS）的拓扑结构，如功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器，以及电机驱动应用中的三相逆变器桥臂。其通孔封装形式也使其在早期或对可靠性要求极高的工业电源板卡设计中占有一席之地，为电磁炉、空调压缩机驱动、工业变频器等设备提供了稳定可靠的栅极驱动解决方案。

• 型号:L6387
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-迷你型 DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-迷你型 DIP
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L6387是ST意法半导体生产的一款高压半桥栅极驱动器集成电路，采用8引脚MiniDIP通孔封装。该器件集成了两个独立通道，专门设计用于驱动N沟道MOSFET或IGBT，构成半桥功率级。

其核心特性包括高达600V的高压侧浮动通道绝对最大额定值，以及650mA（拉电流）和400mA（灌电流）的峰值输出电流能力，配合快速的开关速度（典型上升/下降时间为50ns/30ns），确保了功率开关的高效与可靠运行。器件工作结温范围宽达-45°C至125°C，并内置欠压锁定保护，适用于要求严苛的工业环境。