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L6743QTR

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
原厂封装:封装:10-DFN(3x3)
优势价格,L6743QTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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L6743QTR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

L6743QTR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能半桥栅极驱动器IC,采用紧凑的10-DFN封装,专为驱动N沟道功率MOSFET而设计。该器件集成了两个独立的同步驱动器,构成了一个完整的半桥驱动核心,能够高效管理高端和低端开关管的导通与关断时序,是构建同步整流、电机驱动和DC-DC变换器功率级的关键组件。

其核心优势在于集成了自举电路所需的高压二极管,允许高端驱动器在高达41V的电压下稳定工作,从而简化了外部电路设计并提升了系统可靠性。器件采用5V至12V的单电源供电,兼容广泛的逻辑电平,其输入引脚设计为非反相,逻辑阈值(VIL=0.8V, VIH=2V)确保了与主流微控制器和数字信号处理器的无缝接口。强大的峰值输出电流能力(典型灌电流2A)保证了其能够快速地对MOSFET栅极电容进行充放电,有效减小开关损耗,提升系统整体效率,这对于高频开关应用至关重要。

在接口与参数方面,L6743QTR展现了高度的集成性与鲁棒性。其表面贴装型10-VFDFN封装优化了PCB空间占用,同时提供了良好的热性能。工作结温范围覆盖0°C至125°C,使其能够适应工业级环境的严苛要求。值得注意的是,该器件已进入停产状态,用户在为新设计选型时需考虑替代方案或库存管理,但现有设计仍可依赖其成熟稳定的性能。对于需要持续供应的项目,联系可靠的ST芯片代理获取库存信息或替代产品建议是至关重要的环节。

该芯片典型的应用场景包括开关电源(SMPS)中的同步整流和半桥/全桥拓扑、无刷直流(BLDC)电机驱动控制器、以及各类需要高效功率转换的工业设备和消费电子产品。其设计旨在为工程师提供一个高效、紧凑且可靠的解决方案,以应对驱动现代功率MOSFET所面临的挑战。

  • 型号:L6743QTR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:10-DFN(3x3)
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:同步
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:5V ~ 12V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:0.8V,2V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,-
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):41 V
  • 上升/下降时间(典型值):-
  • 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:10-VFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:10-DFN(3x3)
  • 想获取L6743QTR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

L6743QTR是ST意法半导体生产的一款半桥栅极驱动器IC,采用10-DFN表面贴装封装。该器件集成了两个同步驱动器,专为驱动N沟道MOSFET设计,其高压侧支持高达41V的自举电压,并内置自举二极管,简化了外部电路。

它采用5V至12V单电源供电,具备2A的峰值灌电流驱动能力,可确保功率开关管的快速切换,有效降低开关损耗。其输入逻辑兼容标准CMOS/TTL电平(VIL/VIH: 0.8V/2V),便于与微控制器直接接口。该器件适用于构建高效的同步整流和电机驱动功率级,工作结温范围为0°C至125°C,满足工业环境要求。

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